Vytlačiť
1. Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti
Názvové údaje : Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu9194 \q \q1013 stu_us_auth*stu9194 \d Pudiš Dušan \q
%continue : \q12*stu_us_auth*1 stu9825 \q \q1013 stu_us_auth*stu9825 \d Kováč Jaroslav \q (škol.) ; E030
Vyd.údaje : Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2000
Fakulta : FEI ;
%continue : . - 107 s
Predmet : \q12*stu_us_auth*1 stus23 \q \q1013 stu_us_auth*stus23 \d elektronika \q \q12*stu_us_auth*1 stus299 \q \q1013 stu_us_auth*stus299 \d optoelektronika \q \q12*stu_us_auth*1 stus440 \q \q1013 stu_us_auth*stus440 \d fyzika polovodičov \q \q12*stu_us_auth*1 stus773 \q \q1013 stu_us_auth*stus773 \d polovodičové štruktúry \q \q12*stu_us_auth*1 stus58 \q \q1013 stu_us_auth*stus58 \d polovodičové materiály \q \q12*stu_us_auth*1 stus2843 \q \q1013 stu_us_auth*stus2843 \d LED \q \q12*stu_us_auth*1 stus1325 \q \q1013 stu_us_auth*stus1325 \d GaAs \q
Druh dok. : dizertačná práca
Kategória : DAI - Dizertačné a habilitačné práce