Názvové údaje : Transport properties of Si-doped β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 0090528 \q \q1013 stu_us_auth*0090528 \d Egyenes Fridrich \q  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu108658 \q \q1013 stu_us_auth*stu108658 \d Gucmann Filip \q \q12*stu_us_auth*1 stu56407 \q \q1013 stu_us_auth*stu56407 \d Dobročka Edmund \q \q12*stu_us_auth*1 stu59072 \q \q1013 stu_us_auth*stu59072 \d Mikolášek Miroslav \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu58269 \q \q1013 stu_us_auth*stu58269 \d Hušeková Kristína \q \q12*stu_us_auth*1 stu45748 \q \q1013 stu_us_auth*stu45748 \d Ťapajna Milan \q In : \q12**1 0098022 \q %continue : ASDAM 2022 : %continue : . S. 119-122 URL : https://ieeexplore.ieee.org/document/9966793 Druh dok. : článok zo zborníka Kategória : AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka