Názvové údaje : Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008 Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu65020 \q \q1013 stu_us_auth*stu65020 \d Stoklas Roman \q  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu58958 \q \q1013 stu_us_auth*stu58958 \d Gregušová Dagmar \q (škol.) Vyd.údaje : Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2008 %continue : . - 114 s Predmet : \q12*stu_us_auth*1 stus23 \q \q1013 stu_us_auth*stus23 \d elektronika \q \q12*stu_us_auth*1 stus47572 \q \q1013 stu_us_auth*stus47572 \d Mikroelektronika \q Druh dok. : dizertačná práca Kategória : DAI - Dizertačné a habilitačné práce