Vytlačiť
1. Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
Názvové údaje : Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu109036 \q \q1013 stu_us_auth*stu109036 \d Jančovič Jozef \q ; E
%continue : \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q (škol.) ; E030
Vyd.údaje : Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011
%continue : . - 39 s
Predmet : \q12*stu_us_auth*1 stus23 \q \q1013 stu_us_auth*stus23 \d elektronika \q \q12*stu_us_auth*1 stus30850 \q \q1013 stu_us_auth*stus30850 \d Electronics \q \q12*stu_us_auth*1 stus660 \q \q1013 stu_us_auth*stus660 \d modely \q \q12*stu_us_auth*1 stus63 \q \q1013 stu_us_auth*stus63 \d simulácia \q \q12*stu_us_auth*1 stus1474 \q \q1013 stu_us_auth*stus1474 \d elektronické prvky \q \q12*stu_us_auth*1 stus32219 \q \q1013 stu_us_auth*stus32219 \d models \q \q12*stu_us_auth*1 stus14716 \q \q1013 stu_us_auth*stus14716 \d simulation \q
URL : http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=56314
Druh dok. : bakalárska práca