Názvové údaje : GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13 Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu108658 \q \q1013 stu_us_auth*stu108658 \d Gucmann Filip \q ; 033000  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu58958 \q \q1013 stu_us_auth*stu58958 \d Gregušová Dagmar \q (škol.) Vyd.údaje : Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2015 Fakulta : FEI ; 03.12.2015 ; 5.2.13. elektronika ; D-ME %continue : . - 115 s. Predmet : \q1013 \d GaAs \q \q1013 \d MOS \q \q1013 \d Heteroštruktúra \q \q1013 \d MOS \q \q1013 \d Heterostructure \q \q1013 \d GaAs \q URL : http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535 Druh dok. : dizertačná práca Kategória : DAI - Dizertačné a habilitačné práce