Vytlačiť
1. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater
Názvové údaje : AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu45730 \q \q1013 stu_us_auth*stu45730 \d Florovič Martin \q ; 033000
%continue : \q12*stu_us_auth*1 stu120483 \q \q1013 stu_us_auth*stu120483 \d Szobolovszký Robert \q \q12*stu_us_auth*1 stu42398 \q \q1013 stu_us_auth*stu42398 \d Kováč Jaroslav jr. \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu9825 \q \q1013 stu_us_auth*stu9825 \d Kováč Jaroslav \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 0018482 \q \q1013 stu_us_auth*0018482 \d Jacquet Jean-Claude \q \q12*stu_us_auth*1 stu123241 \q \q1013 stu_us_auth*stu123241 \d Delage Sylvain Laurent \q
In : \q12**1 0079162 \q
%continue : Semiconductor Science and Technology
%continue : . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
Predmet : \q12*stu_us_auth*1 0023871 \q \q1013 stu_us_auth*0023871 \d dissipated power \q \q12*stu_us_auth*1 0021829 \q \q1013 stu_us_auth*0021829 \d temperature profile \q \q12*stu_us_auth*1 stus1433 \q \q1013 stu_us_auth*stus1433 \d HEMT \q \q12*stu_us_auth*1 stus446 \q \q1013 stu_us_auth*stus446 \d FET \q \q12*stu_us_auth*1 stus18930 \q \q1013 stu_us_auth*stus18930 \d GaN \q \q12*stu_us_auth*1 0017171 \q \q1013 stu_us_auth*0017171 \d AlGaN \q
URL : https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
Druh dok. : článok z periodika
Kategória : ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022 : V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Odkazy : \q2479**1 stu_us_cat*0079164*xcla \q (1) - článok