Výsledky vyhľadávania
- Optical characterization of magnesium incorporation in p-GaN layers for core-shell nanorod light-emitting diodes / aut. Ionut Girgel, Alexander Šatka, Juraj Priesol, P.-M Coulon, Emmanuel D Le Boulbar, T Batten, Duncan W. E Allsopp, Philip A Shields
Girgel Ionut Šatka Alexander ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Coulon P.-M. Le Boulbar Emmanuel D. Batten T. Allsopp Duncan W. E. Shields Philip A.
Journal of physics D - Applied Physics . Vol. 51, Iss. 15 (2018), Art. no. 155103 [11] s.
p-GaN doping core-shell nanorod Cathodoluminescence EBIC
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/aab16b/meta
článok zo zborníka
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
článok
- Degradation of p-GaN HEMTs exposed to clamped inductive switching / aut. Juraj Marek, Martin Jagelka, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Patrik Príbytný, Alexander Šatka, Martin Donoval, Daniel Donoval, Ľubica Stuchlíková
Marek Juraj ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Donoval Martin ; 039140 Donoval Daniel ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
GaN Marathon 2.0 : . S. 73-74
DLTS HEMT p-GaN reliability
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Modern p-GaN power HEMT devices under UIS conditions / aut. Juraj Marek, Alexander Šatka, Martin Jagelka, Aleš Chvála, Patrik Príbytný, Martin Donoval, Daniel Donoval
Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Donoval Martin ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
ADEPT 2017 : . S. 44-47
high-electron mobility transistor p-GaN UIS inductive switching
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Application of carbon nanotubes and reduced graphene oxide layers for ohmic contacts to p-GaN / aut. Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Viliam Vretenár, Mário Kotlár, Marián Marton, Vlastimil Řeháček
Liday Jozef ; 033000 Vogrinčič Peter ; 902640 Vretenár Viliam ; 902640 Kotlár Mário ; 902640 Marton Marián ; 033000 Řeháček Vlastimil ; 033000
Journal of Electrical Engineering : . Vol. 66, No. 6 (2015), s. 344-347
p-GaN ohmic contacts carbon nanotubes graphene reduced graphene oxide
článok z periodika
ADN - 13/NOVÉ Vedecké práce v domácich časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok