Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics / aut. Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, A Seifertová, Milan Ťapajna, J Šoltýs, Alexander Šatka, Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Juraj Marek, J.F Carlin, N Grandjean, G Konstantinidis, Ján Kuzmík
Blaho Michal ; 033000  Gregušová Dagmar Haščík Štefan Seifertová A. Ťapajna Milan Šoltýs J. Šatka Alexander ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Carlin J.F. Grandjean N. Konstantinidis G. Kuzmík Ján
Semiconductor Science and Technology . Vol. 31, (2016), Art. no. 065011 [4] s.
InAlN/GaN HEMT self-aligned contacts mixed-signal electronics enancement-mode HEMT
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/6/065011/pdf
článok zo zborníka
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu