Výsledky vyhľadávania
- Annealing impact on the defect distribution in GaAsN/GaAs heterostructures / aut. Ľubica Stuchlíková, Arpád Kósa, Peter Benko, Matej Matuš, Darko Činčurak, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Ściana
Stuchlíková Ľubica ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Činčurak Darko ; 030000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Ściana Beata
ADEPT 2022 : . S. 250-253
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy GaAsN annealing
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - The influence of electrical stress on the distribution of electrically active defects in IGBT / aut. Jakub Drobný, Juraj Marek, Aleš Chvála, Jan Faraga, Martin Jagelka, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Faraga Jan ; 030000 Jagelka Martin ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ISPS '21 : . S. 87-93
IGBT Deep energy levels electrically active defects the impact of electrical stress Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Defect distribution in Fe - doped InP epitaxial layers / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Jaroslav jr Kováč, M Badura, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Badura M. Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2019 : . S. 175-178
Fe doped InP defect Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Vizualization and processing of a large amount of measured DLTFS data in the evaluation process / ed. Ivana Patlevičová, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Miroslav Michalko, František Jakab, Ľubica Stuchlíková
Patlevičová Ivana Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Michalko Miroslav Jakab František Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2019 : . S. 195-198
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy data processing visualization
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Reliability improvement of electrically active defect investigations by analytical and experimental deep level transient: Fourier spectroscopy investigations / aut. Arpád Kósa, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
Kósa Arpád ; 033000 Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
Journal of Electrical Engineering : . Vol. 70, No. 7s (2019), s. 27-35
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy arrhenius data analysis electrically active defects GaAs p-i-n deep energy level
http://iris.elf.stuba.sk/JEEEC/data/pdf/7s_119-03.pdf
článok z periodika
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Investigation of emission and capture processes in AlGaN/GaN heterostructures / aut. Ľubica Stuchlíková, Ondrej Pohorelec, Arpád Kósa, S. L Delage, Jaroslav Kováč
Stuchlíková Ľubica ; 033000 Pohorelec Ondrej ; 030000 Kósa Arpád ; 033000 Delage Sylvain Laurent Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2017 : . S. 32-35
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy AlGaN/GaN heterostructure deep energy level Activation energy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Composition related electrical active defect states of InGaAs and GaAsN / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Advances in Electrical and Electronic Engineering : . Vol. 15, No. 1 (2017), s. 114-119
Deep energy levels Deep Level Transient Fourier Spectroscopy electrically active defects GaAsN Indium InGaAs nitrogen
http://advances.utc.sk/index.php/AEEE/article/view/2023
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Accuracy improvement of deep-level transient fourier spectroscopy by analytical approach / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Milan Žiška, Ladislav Harmatha
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Žiška Milan ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000
ADEPT 2016 : . S. 187-190
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy electrically active defects GaAs p-i-n semiconductor structure arrhenius data analysis
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Characterization of InGaAsN/GaAs multilayer solar cells / Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Miroslav Mikolášek, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Tlaczala Marek
Power engineering 2016. Renewable Energy Sources 2016 : . S. 142-146
Tandem solar cell InGaAsN/GaAs structure Deep Level Transient Fourier Spectroscopy defects
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Defect distribution in InGaAsN/GaAs multilayer solar cells / aut. Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková, Ladislav Harmatha, Miroslav Mikolášek, Jaroslav Kováč, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Marek Tlaczala
Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Sciana Beata Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Tlaczala Marek
Solar Energy : . Vol. 132, (2016), s. 587-590
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy InGaAsN/GaAs Tandem solar cell Semiconductor defect
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038092X1630010X
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu