Výsledky vyhľadávania

  1. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
    dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    (1) - článok
    článok

    článok

  2. Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
    Racko Juraj  Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
    Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
    GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Temperature dependent current transport in very thin MOS heterostructure / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Alena Grmanová, Magdaléna Kadlečíková, Peter Benko, Ladislav Harmatha, Juraj Breza
    Racko Juraj ; 033000  Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Grmanová Alena ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Breza Juraj ; 033000
    IMAPS flash conference 2017 [elektronický zdroj] : . USB, [4] s.
    trap-assisted tunnelling GaN AlGaN
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  4. Channel temperature analysis of power AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, J.-C Jacquet, S. L Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2017 : . S. 36-39
    AlGaN GaN HEMT temperature DC characterization dissipated power
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Analysis of the current transients by monitoring lateral current evolution in AlGaN/GaN structure / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav Kováč, Jaroslava Škriniarová, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    ADEPT 2016 : . S. 253-256
    GaN AlGaN ohmic contacts current transients trapping/detrapping
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok