Výsledky vyhľadávania
- Investigation of electrically active defects in InAlGaN/GaN/SiC HEMT / aut. Jakub Vadovský, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Vadovský Jakub ; 030000 Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 179-182
HEMT DLTFS InAlGaN GTML FAT Schottky barrier
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Charge collection efficiency of Pt vs. Mg contacts on semi-insulating GaAs / aut. František Dubecký, Bohumír Zaťko, Vladimír Kolesár, D Kindl, Pavel Hubík, Enos Gombia, Matúš Dubecký
Dubecký František Zaťko Bohumír Kolesár Vladimír ; 067000 Kindl D. Hubík Pavel Gombia Enos Dubecký Matúš ; 067000
Applied Surface Science . Vol. 467-468, (2019), s. 1219-1225
semi-insulating GaAs Schottky barrier charge collection efficiency
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433218329337?via%3Dihub
http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=CCC&search_mode=GeneralSearch&qid=25&SID=F4xfsx1VKjcT1Qb8WmI&page=1&doc=1
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Analysis of low temperature output parameters for investigation of silicon heterojunction solar cells / aut. Miroslav Mikolášek, Juraj Racko, Ladislav Harmatha
Mikolášek Miroslav ; 033000 Racko Juraj ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000
Applied Surface Science . Vol. 395, (2017), s. 166-171
solar cell amorphous silicon heterojunction Schottky barrier TCO/a-Si:H ASA simulation low temperature open circuit voltage
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433216307632
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok