Výsledky vyhľadávania
- Defect distribution study of p+/n- GaN diode for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, Michael Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken Michael Stuchlíková Ľubica ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 96-97
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
článok
- Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 63-66
quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 183-186
Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Electrical and DLTS Characterization of Gate Interfaces in GaN-based Trench-gate semi-vertical MOS devices / aut. Juraj Marek, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, K Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Marek Juraj ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens K. Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 57-58
článok zo zborníka
AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- DLTS study of electrically active defects in semi-vertical GaN-on-Si FETs / aut. Jakub Drobný, Juraj Marek, Arpád Kósa, Jakub Vadovský, K Geens, M Borga, H Liang, S You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Vadovský Jakub ; 030000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 25-26
článok zo zborníka
AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Investigation of semi-vertical GaN FET structures using EBIC method / aut. Alexander Šatka, Juraj Priesol, Shuzhen You, Karen Geens, Stefaan Decoutere
Šatka Alexander ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 You Shuzhen Geens Karen Decoutere Stefaan
Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 92-93
článok zo zborníka
AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Study of emission and capture processes in semi-vertical GaN-on-Si trench-MOSFETs / aut. Jakub Drobný, Juraj Marek, Arpád Kósa, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Huan You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ASDAM 2020 : . S. 123-126
https://ieeexplore.ieee.org/document/9393836
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Electrical and DLTS characterization of AlN buffers for GaN on Si technology / aut. Juraj Marek, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Ming Zhao, Steve Stoffels, Arpád Kósa, Peter Benko, Aleš Chvála, Benoit Bakeroot, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Marek Juraj ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Zhao Ming Stoffels Steve Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Bakeroot Benoit Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
WOCSDICE 2019 : . [2] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Perimeter driven transport in the p-GaN gate as a limiting factor for gate reliability / aut. Steve Stoffels, Niels Posthuma, Stefaan Decoutere, Benoit Bakeroot, Andrea N Tallarico, Enrico C Sangiorgi, Claudio Fiegna, J Zheng, X Ma, Matteo Borga, Elena Fabris, Matteo Meneghini, Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso, Juraj Priesol, Alexander Šatka
Stoffels Steve Posthuma Niels Decoutere Stefaan Bakeroot Benoit Tallarico Andrea N. Sangiorgi Enrico C. Fiegna Claudio Zheng J. Ma X. Borga Matteo Fabris Elena Meneghini Matteo Zanoni Enrico Meneghesso Gaudenzio Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000
2019 IEEE International Reliability Physics Symposium : . Art. no. 8720411 [10] s.
p-GaN gate sidewall TDDB gate leakage lifetime EBIC
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok