Výsledky vyhľadávania

  1. Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    Journal of Circuits Systems and Computers . Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
    monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    DTIS 2018 : . USB, [6] s.
    monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  3. Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Michal Blaho, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík, Alexander Šatka
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 65, No. 6 (2018), s. 2666-2669
    Circuit and device simulations InAlN/GaN HEMT monolithic integration NAND logic cell
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8352764/
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  4. Performance analysis of monolithically integrated depletion-/enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure HEMT transistors / aut. Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Viera Stopjaková, Michal Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Alexander Šatka
    Nagy Lukáš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Stopjaková Viera ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Šatka Alexander ; 033000
    Applied electronics 2017 : . S. 129-132
    InAlN/GaN heterostructure monolithic integration HEMT transistor digital inverter
    http://ieeexplore.ieee.org/document/8053599/
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by device simulation / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Matej Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Patrik Príbytný, Marián Bernát, Daniel Donoval, Alexander Šatka
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Príbytný Patrik ; 033000 Bernát Marián ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000
    ADEPT 2017 : . S. 40-43
    monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT device simulations
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok