Performance analysis of monolithically integrated depletion-/enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure HEMT transistors / aut. Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Viera Stopjaková, Michal Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Alexander Šatka
Nagy Lukáš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Stopjaková Viera ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Šatka Alexander ; 033000
Applied electronics 2017 : . S. 129-132
InAlN/GaN heterostructure monolithic integration HEMT transistor digital inverter
http://ieeexplore.ieee.org/document/8053599/
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka