Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 5  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth 0026326^"
  1. Thermal resistance utilization as a key parameter for HEMT average temperature determination / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2022 : . S. 246-249
    HEMT AlGaN/GaN I-V characteristics thermal resistance channel temperature
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2021 : . S. 75-78
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2020 : . S. 41-44
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Electrical transport effects in YBCO/LSMO bilayer junctions / aut. Timur Nurgaliev, Vladimír Štrbík, Norbert Gál, Štefan Chromik, Michaela Sojková
    Nurgaliev Timur  Štrbík Vladimír Gál Norbert ; 036000 Chromik Štefan Sojková Michaela
    Physica B-Condensed Matter . Vol. 550, (2018), s. 324-331
    thin films YBCO/LSMO junction interface resistance I-V characteristics electric current effect
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452618305945
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. Fabrication and characterization of Si/SiO2/TiO2/ZnO heterostructures from sputtered and oxidized Ti-film / aut. Jaroslav Kováč, Martin Florovič, Andrej Vincze, Edmund Dobročka, Ivan Novotný, Miroslav Mikolášek, Jaroslava Škriniarová
    Kováč Jaroslav ; 033000  Florovič Martin ; 033000 Vincze Andrej ; 033000 Dobročka Edmund Novotný Ivan ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000
    Journal of Electrical Engineering : . Vol. 68, No. 7/s (2017), s. 58-61
    SIS heterostructure thin film Ga-doped ZnO TiO2 Si SIMS I-V characteristics spectroscopy
    http://iris.elf.stuba.sk/JEEEC/data/pdf/7s_117-11.pdf
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.