Výsledky vyhľadávania
- Thermal resistance utilization as a key parameter for HEMT average temperature determination / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2022 : . S. 246-249
HEMT AlGaN/GaN I-V characteristics thermal resistance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2021 : . S. 75-78
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok z periodika
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2020 : . S. 41-44
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Electrical transport effects in YBCO/LSMO bilayer junctions / aut. Timur Nurgaliev, Vladimír Štrbík, Norbert Gál, Štefan Chromik, Michaela Sojková
Nurgaliev Timur Štrbík Vladimír Gál Norbert ; 036000 Chromik Štefan Sojková Michaela
Physica B-Condensed Matter . Vol. 550, (2018), s. 324-331
thin films YBCO/LSMO junction interface resistance I-V characteristics electric current effect
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452618305945
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Fabrication and characterization of Si/SiO2/TiO2/ZnO heterostructures from sputtered and oxidized Ti-film / aut. Jaroslav Kováč, Martin Florovič, Andrej Vincze, Edmund Dobročka, Ivan Novotný, Miroslav Mikolášek, Jaroslava Škriniarová
Kováč Jaroslav ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Vincze Andrej ; 033000 Dobročka Edmund Novotný Ivan ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000
Journal of Electrical Engineering : . Vol. 68, No. 7/s (2017), s. 58-61
SIS heterostructure thin film Ga-doped ZnO TiO2 Si SIMS I-V characteristics spectroscopy
http://iris.elf.stuba.sk/JEEEC/data/pdf/7s_117-11.pdf
článok z periodika
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu