Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 7  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth 0090528^"
  1. Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Dobročka Edmund  Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
    Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
    https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Ivan Hotový, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Keshtkar Javad  Hotový Ivan ; 033000 Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    ADEPT 2022 : . S. 113-116
    nickel oxide NiO DC Magnetron Sputtering XRD Electrical resistivity
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Transport properties of Si-doped β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna
    Egyenes Fridrich  Gucmann Filip Dobročka Edmund Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Ťapajna Milan
    ASDAM 2022 : . S. 119-122
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966793
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Fridrich Egyenes, Milan Ťapajna, Ivan Hotový
    Keshtkar Javad  Gucmann Filip Dobročka Edmund Egyenes Fridrich Ťapajna Milan Hotový Ivan ; 033000
    ELITECH´22 : . [3] s.
    nickel oxide DC Magnetron Sputtering XRD Electrical Property
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  7. Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes-Pörsök, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Michal Sobota, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Egyenes-Pörsök Fridrich  Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Sobota Michal ; 030000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 11 (2020), Art. no. 115002 [10] s.
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.