High temperature operation of the MEMS piezoelectric sensor based on AlGaN/GaN heterostructure / aut. Gabriel Vanko, Jaroslav Dzuba, Milan Držík, Vladimír Kutiš, S Kasemann, J Zehetner
Vanko Gabriel  Dzuba Jaroslav Držík Milan Kutiš Vladimír ; 030400 Kasemann S. Zehetner J.
ADEPT 2020 : . S. 33-36
III-N heterostructures MEMS piezoelectricity harsh environments pressure sensors high electron mobility transistors
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka