Výsledky vyhľadávania
- Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu