Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 1  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth 0091615^"
  1. Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.