Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
Dawidowski Wojciech  Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu