Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
Izsák Tibor  Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu