Výsledky vyhľadávania
- Epitaxial and Structural Designs for High-Performance β-Ga2O3 Power Transistors / aut. Sai GuruKrishna Vadlamudi, Michal Sobota, Milan Ťapajna
Vadlamudi Sai GuruKrishna ; 033000 Sobota Michal Ťapajna Milan
ELITECH´25 : . [8] s.
Ga2O3 HEMTS MOSFETs MESFETs Superlattices Off-Cut
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, M Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, R Paszkiewicz, Filip Gucmann
Krettová Miriam ; 033000 Hušeková Kristína Wosko M. Dobročka Edmund Zápražný Zdenko Kozak Iryna Chouhan Hemendra ; 033000 Egyenes Fridrich Pohorelec Ondrej Ťapajna Milan Paszkiewicz R. Gucmann Filip
ADEPT 2025 : . S. 111-114
Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, Mateusz Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann
Krettová Miriam ; 033000 Hušeková Kristína Wosko Mateusz Dobročka Edmund Zápražný Zdenko Kozak Iryna Chouhan Hemendra ; 033000 Egyenes Fridrich Pohorelec Ondrej Ťapajna Milan Paszkiewicz Regina Gucmann Filip
ELITECH´25 : . [5] s.
Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Gallium oxide for applications in electronics and optoelectronics / aut. F Gucmann, K Hušeková, A Rosová, E Dobročka, F Egyenes, Fedor Hrubišák, J Keshtkar, H Chouhan, M Krettová, P Eliáš, P Nádaždy, D Gregušová, O Pohorelec, A Kozak, M Ťapajna
Gucmann F. Hušeková K. Rosová A. Dobročka E. Egyenes F. Hrubišák Fedor ; 033000 Keshtkar J. Chouhan H. Krettová M. Eliáš P. Nádaždy P. Gregušová D. Pohorelec O. Kozak A. Ťapajna M.
ADEPT 2024 : . S. 13-16
Ga2O3 MOCVD electrical properties thermal properties optical properties
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
Dobročka Edmund Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
Gucmann Filip Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok