Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 14  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu108658^"

  1. 1.Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD

    Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. 2.NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties

    NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Fridrich Egyenes, Milan Ťapajna, Ivan Hotový
    Keshtkar Javad  Gucmann Filip Dobročka Edmund Egyenes Fridrich Ťapajna Milan Hotový Ivan ; 033000
    ELITECH´22 : . [3] s.
    nickel oxide DC Magnetron Sputtering XRD Electrical Property
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties

    NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Ivan Hotový, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Keshtkar Javad  Hotový Ivan ; 033000 Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    ADEPT 2022 : . S. 113-116
    nickel oxide NiO DC Magnetron Sputtering XRD Electrical resistivity
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 4.Doping efficiency and electron transport in Al-doped ZnO films grown by atomic layer deposition

    Doping efficiency and electron transport in Al-doped ZnO films grown by atomic layer deposition / aut. Antónia Mošková, Martin Moško, Marián Precner, Miroslav Mikolášek, Alica Rosová, Matej Mičušík, Vladimír Štrbík, J Šoltýs, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Karol Fröhlich
    Mošková Antónia  Moško Martin Precner Marián Mikolášek Miroslav ; 033000 Rosová Alica Mičušík Matej Štrbík Vladimír Šoltýs Ján Gucmann Filip Dobročka Edmund Fröhlich Karol
    Journal of Applied Physics . Vol. 130, iss. 3 (2021), Art. no. 035106 [15] s.
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. 5.A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation

    A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
    CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. 6.Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure

    Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. 7.Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD

    Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes-Pörsök, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Michal Sobota, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Egyenes-Pörsök Fridrich  Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Sobota Michal ; 030000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 11 (2020), Art. no. 115002 [10] s.
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. 8.Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD

    Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
    Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. 9. GaAs-based MOS structures

    GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
    Gucmann Filip ; 033000  Gregušová Dagmar (škol.)
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2015
    FEI ; 03.12.2015 ; 5.2.13. elektronika ; D-ME . - 115 s.

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535
    dizertačná práca
    DAI - Dizertačné a habilitačné práce
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1000
    kniha

    kniha

  10. 10.III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap

    III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Peter Kordoš, Edmund Dobročka, Štefan Gaži, Ján Dérer, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Dagmar Gregušová
    Gucmann Filip ; E  Kúdela R. Kordoš Peter ; E030 Dobročka Edmund Gaži Štefan Dérer Ján Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gregušová Dagmar
    Journal of Vacuum Science and Technology B : . Vol. 33, No. 1 (2015), Art. no. 01A111 [5] s.
    http://scitation.aip.org/docserver/fulltext/avs/journal/jvstb/33/1/1.4905938.pdf?expires=1456138624&id=id&accname=2106317&checksum=EB1C095E3BF32E44049E0A3611AC4CDC
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok