Výsledky vyhľadávania
- A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
článok
- Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes-Pörsök, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Michal Sobota, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
Egyenes-Pörsök Fridrich Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Sobota Michal ; 030000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 11 (2020), Art. no. 115002 [10] s.
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
Gucmann Filip ; 033000 Gregušová Dagmar (škol.)
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2015
FEI ; Dátum obhajoby : 03.12.2015 ; Študijný odbor : 5.2.13. elektronika ; Študijný program : D-ME . - 115 s.
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 
kniha
- III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Peter Kordoš, Edmund Dobročka, Štefan Gaži, Ján Dérer, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Dagmar Gregušová
Gucmann Filip ; E Kúdela R. Kordoš Peter ; E030 Dobročka Edmund Gaži Štefan Dérer Ján Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gregušová Dagmar
Journal of Vacuum Science and Technology B : . Vol. 33, No. 1 (2015), Art. no. 01A111 [5] s.
http://scitation.aip.org/docserver/fulltext/avs/journal/jvstb/33/1/1.4905938.pdf?expires=1456138624&id=id&accname=2106317&checksum=EB1C095E3BF32E44049E0A3611AC4CDC
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with oxygen-plasma oxide and Al2O3 double-layer insulator / Filip Gucmann, Dagmar Gregušová, Roman Stoklas, Ján Dérer, R Kúdela, Karol Fröhlich, Peter Kordoš
Gucmann Filip ; E030 Gregušová Dagmar Stoklas Roman Dérer Ján Kúdela R. Fröhlich Karol Kordoš Peter ; E030
Applied Physics Letters . Vol. 105, (2014), Art. no 183504 [4] p.
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/105/18/10.1063/1.4901170
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- III-As high electron mobility transistors with recessed ex-situ gate oxide / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Karol Fröhlich, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Štefan Gaži, Roman Stoklas, Peter Kordoš, Jozef Novák, Dagmar Gregušová
Gucmann Filip ; E030 Kúdela R. Fröhlich Karol Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gaži Štefan Stoklas Roman Kordoš Peter ; E030 Novák Jozef Gregušová Dagmar
ADEPT 2014 : . S. 5-8
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Príprava mikrometrových a submikrometrových hallovských senzorov využitím elektrónovej litografie
Gucmann Filip ; E Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011 . - 60 s
Microelectronics Mikroelektronika
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=71660
diplomová prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Návrh riadeného analógového filtra
Daříček Martin ; E030 Gucmann Filip ; E
ŠVOČ 2009. Fakultné kolo. Sekcia: Mikroelektronika a Optoelektronika, Mikroelektronické a Optoelektronické systémy, e-Learning a web technológie v Elektronike : . s.61-66
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok