Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Milan Ťapajna, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Alica Rosová, Peter Nádaždy, Peter Eliáš, Fridrich Egyenes, Fedor Hrubišák, Hemendra Chouhan, Javad Keshtkar, Xiang Zheng, James W Pomeroy, Martin Kuball, Xinglin Xiao, Yali Mao, Biwei Meng, Guoliang Ma, Chao Yuan
Gucmann Filip  Ťapajna Milan Hušeková Kristína Dobročka Edmund Rosová Alica Nádaždy Peter Eliáš Peter Egyenes Fridrich Hrubišák Fedor ; 033000 Chouhan Hemendra Keshtkar Javad Zheng Xiang Pomeroy James W. Kuball Martin Xiao Xinglin Mao Yali Meng Biwei Ma Guoliang Yuan Chao
Oxide-based Materials and Devices 15 : . Art. no 1288705 [12] s.
silicon carbide Sapphire Field effect transistors Metalorganic chemical vapor deposition Thin film devices electrical conductivity Interfaces semiconductors thin films Gallium oxide
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

Effect of off-cut sapphire substrate on the structural and optical properties of (-201) β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. H Chouhan, K Hušeková, E Dobročka, M Ťapajna, J Keshtkar, O Pohorelec, Fedor Hrubišák, Miroslav Mikolášek, F Gucmann
Chouhan H.  Hušeková K. Dobročka E. Ťapajna M. Keshtkar J. Pohorelec O. Hrubišák Fedor ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Gucmann F.
ADEPT 2024 : . S. 117-120
β-Ga2O3 LI-MOCVD heteroepitaxy off-cut substrate vicinal substrate
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
MicDAT 2023 : . S. 20-23
High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu

Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
Gucmann Filip  Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka