Výsledky vyhľadávania

  1. A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
    CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Growth of alpha- and beta-Ga(2)O(3)epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes-Pörsök, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Michal Sobota, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Egyenes-Pörsök Fridrich  Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Sobota Michal ; 030000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 11 (2020), Art. no. 115002 [10] s.
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  4. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
    Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  5. GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
    Gucmann Filip ; 033000  Gregušová Dagmar (škol.)
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2015
    FEI ; Dátum obhajoby : 03.12.2015 ; Študijný odbor : 5.2.13. elektronika ; Študijný program : D-ME . - 115 s.

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535
    dizertačná práca
    DAI - Dizertačné a habilitačné práce
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1000
    kniha

    kniha

  6. III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Peter Kordoš, Edmund Dobročka, Štefan Gaži, Ján Dérer, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Dagmar Gregušová
    Gucmann Filip ; E  Kúdela R. Kordoš Peter ; E030 Dobročka Edmund Gaži Štefan Dérer Ján Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gregušová Dagmar
    Journal of Vacuum Science and Technology B : . Vol. 33, No. 1 (2015), Art. no. 01A111 [5] s.
    http://scitation.aip.org/docserver/fulltext/avs/journal/jvstb/33/1/1.4905938.pdf?expires=1456138624&id=id&accname=2106317&checksum=EB1C095E3BF32E44049E0A3611AC4CDC
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  7. InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with oxygen-plasma oxide and Al2O3 double-layer insulator / Filip Gucmann, Dagmar Gregušová, Roman Stoklas, Ján Dérer, R Kúdela, Karol Fröhlich, Peter Kordoš
    Gucmann Filip ; E030  Gregušová Dagmar Stoklas Roman Dérer Ján Kúdela R. Fröhlich Karol Kordoš Peter ; E030
    Applied Physics Letters . Vol. 105, (2014), Art. no 183504 [4] p.
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/105/18/10.1063/1.4901170
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  8. III-As high electron mobility transistors with recessed ex-situ gate oxide / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Karol Fröhlich, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Štefan Gaži, Roman Stoklas, Peter Kordoš, Jozef Novák, Dagmar Gregušová
    Gucmann Filip ; E030  Kúdela R. Fröhlich Karol Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gaži Štefan Stoklas Roman Kordoš Peter ; E030 Novák Jozef Gregušová Dagmar
    ADEPT 2014 : . S. 5-8
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Príprava mikrometrových a submikrometrových hallovských senzorov využitím elektrónovej litografie
    Gucmann Filip ; E  Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011 . - 60 s
    Microelectronics Mikroelektronika
    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=71660
    diplomová práca
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI0001
    kniha

    kniha

  10. Návrh riadeného analógového filtra
    Daříček Martin ; E030  Gucmann Filip ; E
    ŠVOČ 2009. Fakultné kolo. Sekcia: Mikroelektronika a Optoelektronika, Mikroelektronické a Optoelektronické systémy, e-Learning a web technológie v Elektronike : . s.61-66
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok