Výsledky vyhľadávania
- Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
Gucmann Filip Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
článok
- Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
Dobročka Edmund Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Fridrich Egyenes, Milan Ťapajna, Ivan Hotový
Keshtkar Javad Gucmann Filip Dobročka Edmund Egyenes Fridrich Ťapajna Milan Hotový Ivan ; 033000
ELITECH´22 : . [3] s.
nickel oxide DC Magnetron Sputtering XRD Electrical Property
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Ivan Hotový, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
Keshtkar Javad Hotový Ivan ; 033000 Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
ADEPT 2022 : . S. 113-116
nickel oxide NiO DC Magnetron Sputtering XRD Electrical resistivity
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Transport properties of Si-doped β-Ga2O3 grown by liquid-injection MOCVD / aut. Fridrich Egyenes, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Miroslav Mikolášek, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna
Egyenes Fridrich Gucmann Filip Dobročka Edmund Mikolášek Miroslav ; 033000 Hušeková Kristína Ťapajna Milan
ASDAM 2022 : . S. 119-122
https://ieeexplore.ieee.org/document/9966793
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Doping efficiency and electron transport in Al-doped ZnO films grown by atomic layer deposition / aut. Antónia Mošková, Martin Moško, Marián Precner, Miroslav Mikolášek, Alica Rosová, Matej Mičušík, Vladimír Štrbík, J Šoltýs, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Karol Fröhlich
Mošková Antónia Moško Martin Precner Marián Mikolášek Miroslav ; 033000 Rosová Alica Mičušík Matej Štrbík Vladimír Šoltýs Ján Gucmann Filip Dobročka Edmund Fröhlich Karol
Journal of Applied Physics . Vol. 130, iss. 3 (2021), Art. no. 035106 [15] s.
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Investigation of Ga2O3 epitaxial films by Raman spectroscopy / aut. Fedor Hrubišák, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč
Hrubišák Fedor ; 030000 Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000
ŠVOČ 2021 : . S. 101-103
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok