Výsledky vyhľadávania

  1. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
    Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Thermionic emission from the 2DEG assisted by image-charge-induced barrier lowering in AlInN/AlN/GaN heterostructures
    Minj A.  Cavalcoli D. Cavallini A.
    Nanotechnology . Vol. 23 (2012), s.Art. No. 115701
    článok z periodika
    (2) - článok
    článok

    článok