Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 3  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu137099^"

  1. 1.Post-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs

    Post-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs / aut. Martin Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, A Seifertová, Milan Ťapajna, Ján Šoltýs, Alexander Šatka, Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Juraj Marek, Juraj Priesol, Ján Kuzmík
    Blaho Michal  Gregušová Dagmar Haščík Štefan Seifertová Alena Ťapajna Milan Šoltýs Ján Šatka Alexander ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Kuzmík Ján
    ASDAM 2016 : . S. 177-180
    http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=7805924
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. 2.Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics

    Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics / aut. Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, A Seifertová, Milan Ťapajna, J Šoltýs, Alexander Šatka, Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Juraj Marek, J.F Carlin, N Grandjean, G Konstantinidis, Ján Kuzmík
    Blaho Michal ; 033000  Gregušová Dagmar Haščík Štefan Seifertová A. Ťapajna Milan Šoltýs J. Šatka Alexander ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Carlin J.F. Grandjean N. Konstantinidis G. Kuzmík Ján
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 31, (2016), Art. no. 065011 [4] s.
    InAlN/GaN HEMT self-aligned contacts mixed-signal electronics enancement-mode HEMT
    http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/6/065011/pdf
    článok zo zborníka
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. 3.Adjustment of threshold voltage in AlN/AlGaN/GaN high-electron mobility transistors by plasma oxidation and Al2O3 atomic layer deposition overgrowth

    Adjustment of threshold voltage in AlN/AlGaN/GaN high-electron mobility transistors by plasma oxidation and Al2O3 atomic layer deposition overgrowth
    Gregušová Dagmar  Jurkovič M. Haščík Štefan Blaho Michal Seifertová A. Fedor Ján Ťapajna Milan Fröhlich Karol Vogrinčič Peter ; E030 Liday Jozef ; E030 Derluyn J. Germain M. Kuzmík Ján
    Applied Physics Letters . Vol. 104, Iss. 1 (2014), Art. No. 013506
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko