Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 445  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu3815^"
  1. Electro-thermal simulation analysis and optimization of power IGBT under uis test condition / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Patrik Príbytný, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 141-144
    electro-thermal simulation power IGBT clip-bond wire-bond
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Electro-thermal characterizations, compact modeling and tcad based device simulations of power electronics modules / aut. Patrik Príbytný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval
    Príbytný Patrik ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 165-168
    3-D numerical modeling and simulation thermal management power and heat dissipation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. CAE elektronických prvkov : 2/3-D numerické simulácie - Návody na cvičenia / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval; rec. Milan Ťapajna, Martin Weis elektronický zdroj
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Ťapajna Milan (rec.) Weis Martin ; 033000 (rec.)
    1. vyd.
    Bratislava : Spektrum STU, 2022 . - CD-ROM, 68 s.
    ISBN 978-80-227-5183-4
    elektronický textový údaj
    BCI - Skriptá a učebné texty
    P1 - Pedagogický výstup publikačnej činnosti ako celok
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1100
    kniha

    kniha

  4. 3-D device electro-thermal simulation methodology for optimization of SiC power MOSFET under UIS test condition / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    ICSCRM 2022 : . S. 197-198
    článok zo zborníka
    BFA - Abstrakty odborných prác zo zahraničných podujatí (konferencie...)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Electro-thermal simulation analysis and optimization of SiC Power MOSFET under UIS test condition / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP102-OP103
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  6. ASDAM 2022 : 14th International conference on advanced semiconductor devices and microsystems. Smolenice, Slovakia. October 23-26, 2022 / ed. Juraj Marek, Daniel Donoval, Erik Vavrinský
    Marek, Juraj, ; 033000 (zost.) Donoval, Daniel, ; 033000 (zost.) Vavrinský, Erik, ; 033000 (zost.)
    International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2022) 14. October 23-26, 2022 Smolenice, Slovakia
    1. ed..
    Danvers : IEEE, 2022 . - 254 s.
    ISBN 978-1-6654-6977-7. -- ISBN 978-1-6654-6979-1
    zborník (príspevkov)
    FAI - Redakčné a zostavovateľské práce knižného charakteru (bibliografie, encyklopédie, katalógy, slovníky, zborníky...)
    V1 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako celok
    (31) - článok
    kniha

    kniha

  7. TCAD simulation of improved surge current capability of power diode module with copper metallization / aut. Patrik Príbytný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval
    Príbytný Patrik ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ASDAM 2022 : . S. 25-28
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. Electro-thermo-mechanical simulation analysis and optimization of SiC power MOSFET under UIS test condition / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    ASDAM 2022 : . S. 101-104
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966742
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Distributed neural network for electrothermal circuit model of SiC power MOSFET / aut. Aleš Chvála, Ľuboš Černaj, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Černaj Ľuboš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    MicDAT 2022 : . S. 47-48
    neural network Neural network training electrothermal circuit model SiC Power MOSFET model calibration
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  10. Characterization and evaluation of current transport properties of power SiC Schottky diode / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    11th Solid State Surfaces and Interfaces conference : . S. 285-288
    Power SiC Schottky diode Schottky barrier height Tunneling current FEM simulation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2214785321045168
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok