Výsledky vyhľadávania
- EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
článok
- Characterization of MoS2/GaP heterojunction properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 72-73
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Near-field analysis of GaP nanocones / aut. Dušan Pudiš, Petra Urbancová, Jozef Novák, Anton Kuzma, Ivana Lettrichová, Matej Goraus, Peter Eliáš, Agáta Laurenčíková, Daniel Jandura, Ľuboš Šušlik, Stanislav Hasenöhrl
Pudiš Dušan Urbancová Petra Novák Jozef Kuzma Anton ; 033000 Lettrichová Ivana Goraus Matej Eliáš Peter Laurenčíková Agáta Jandura Daniel Šušlik Ľuboš Hasenöhrl Stanislav
Applied Surface Science . Vol. 539, (2021), Art. no. 148213 [6] s.
nanocones near field GaP
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220329706
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Stoklas Roman Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 5-8
nanocones high density of edges edge growth
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Mg doping of InAlN layers / aut. Ondrej Pohorelec, Dagmar Gregušová, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Ľubomír Vančo, M Gregor, Ján Kuzmík
Pohorelec Ondrej ; 033000 Gregušová Dagmar Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 060700 Gregor M. Kuzmík Ján
ADEPT 2021 : . S. 147-150
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, František Uherek, Daniel Haško
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Uherek František ; 033000 Haško Daniel
Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 76-77
článok zo zborníka
AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferenciíčlánok
- Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
Fotonika 2020 : . S. 11-14
vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Twinned nanoparticle structures for surface enhanced Raman scattering / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Petra Urbancová, Dušan Pudiš
Novák Jozef Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Urbancová Petra Pudiš Dušan
Applied Surface Science . Vol. 528, (2020), Art. no. 146548 [5] s.
Raman scattering Plasmonic nanostructures surface enhancement Patterning
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313052
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok