Výsledky vyhľadávania
- Near-field analysis of GaP nanocones / aut. Dušan Pudiš, Petra Urbancová, Jozef Novák, Anton Kuzma, Ivana Lettrichová, Matej Goraus, Peter Eliáš, Agáta Laurenčíková, Daniel Jandura, Ľuboš Šušlik, Stanislav Hasenöhrl
Pudiš Dušan Urbancová Petra Novák Jozef Kuzma Anton ; 033000 Lettrichová Ivana Goraus Matej Eliáš Peter Laurenčíková Agáta Jandura Daniel Šušlik Ľuboš Hasenöhrl Stanislav
Applied Surface Science . Vol. 539, (2021), Art. no. 148213 [6] s.
nanocones near field GaP
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220329706
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
článok
- A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- MoS2/GaP heterojunction - Formation and properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 21-24
metal dichalcogenides PN heterojunction spectral response
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Twinned nanoparticle structures for surface enhanced Raman scattering / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Petra Urbancová, Dušan Pudiš
Novák Jozef Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Urbancová Petra Pudiš Dušan
Applied Surface Science . Vol. 528, (2020), Art. no. 146548 [5] s.
Raman scattering Plasmonic nanostructures surface enhancement Patterning
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313052
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, František Uherek, Daniel Haško
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Uherek František ; 033000 Haško Daniel
SSSI 2020 : . S. 76-77
článok zo zborníka
AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferenciíčlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Využitie katódoluminiscencie pre diagnostiku InAlN vrstie / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Ján Kuzmík
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Kuzmík Ján
Fotonika 2019 : . S. 68-71
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Cathodoluminescence analysis of In-rich InAlN layers / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Ján Kuzmík
Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Kuzmík Ján
WOCSDICE 2019 : . [2] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)článok
- Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures / aut. Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Marián Veselý, Farah Bouazzaoui, Marie-Pierre Chauvat, Pierre Ruterana, Ján Kuzmík
Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 902640 Veselý Marián ; 902640 Bouazzaoui Farah Chauvat Marie-Pierre Ruterana Pierre Kuzmík Ján
Applied Physics Express . Vol. 12, iss. 1 (2019), s. 14001-14001
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok