Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 91  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu39769^"

  1. 1.Bipolar heterojunction phototransistor based on thin PtSe2 layer

    Bipolar heterojunction phototransistor based on thin PtSe2 layer / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
    Novák Jozef  Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2023 : . S. 59-60
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. 2.Influence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction

    Influence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková
    Novák Jozef ; 030690  Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 24-27
    heterojunction phototransistor interlayer
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.Vertical GaN transistor with semi-insulating channel

    Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  4. 4.EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors

    EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  5. 5.MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide

    MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
    Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 21-24
    MOVPE growth nanocone heterojunction
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. 6.Characterization of MoS2/GaP heterojunction properties

    Characterization of MoS2/GaP heterojunction properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
    Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 72-73
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  7. 7.Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode

    Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
    Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
    AIP Advances . Vol. 12, Iss. 6 (2022), Art. no. 065004 [5] s.
    https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0089842
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. 8.Near-field analysis of GaP nanocones

    Near-field analysis of GaP nanocones / aut. Dušan Pudiš, Petra Urbancová, Jozef Novák, Anton Kuzma, Ivana Lettrichová, Matej Goraus, Peter Eliáš, Agáta Laurenčíková, Daniel Jandura, Ľuboš Šušlik, Stanislav Hasenöhrl
    Pudiš Dušan  Urbancová Petra Novák Jozef Kuzma Anton ; 033000 Lettrichová Ivana Goraus Matej Eliáš Peter Laurenčíková Agáta Jandura Daniel Šušlik Ľuboš Hasenöhrl Stanislav
    Applied Surface Science . Vol. 539, (2021), Art. no. 148213 [6] s.
    nanocones near field GaP
    https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220329706
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. 9.Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer

    Influence of edge rich surface on growth of MoS2 from thin molybdenum layer / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč
    Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 5-8
    nanocones high density of edges edge growth
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  10. 10.Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels

    Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Stoklas Roman  Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
    Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko