Creation of thin Ga2Se3 PN junction during the PtSe2 preparation / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef  Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Rosová Alica Dobročka Edmund Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka

Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu

EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka

MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef  Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 21-24
MOVPE growth nanocone heterojunction
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

Near-field analysis of GaP nanocones / aut. Dušan Pudiš, Petra Urbancová, Jozef Novák, Anton Kuzma, Ivana Lettrichová, Matej Goraus, Peter Eliáš, Agáta Laurenčíková, Daniel Jandura, Ľuboš Šušlik, Stanislav Hasenöhrl
Pudiš Dušan  Urbancová Petra Novák Jozef Kuzma Anton ; 033000 Lettrichová Ivana Goraus Matej Eliáš Peter Laurenčíková Agáta Jandura Daniel Šušlik Ľuboš Hasenöhrl Stanislav
Applied Surface Science . Vol. 539, (2021), Art. no. 148213 [6] s.
nanocones near field GaP
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220329706
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu