Výsledky vyhľadávania
- Analysis of the Properties of a Low Voltage Power VDMOS Transistor with Recessed Emitter Contact Supported by Modeling and Simulation
Marek Juraj ; E030 Donoval Daniel ; E030 Chvála Aleš ; E030 Košík Tomáš ; E210 Vrbický Andrej ; E210
APCOM 2008. Applied Physics of Condensed Matter : . s.129-132
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Analysis of the Electro-Thermal Behavior of DMOS Transistor Structure during Multi-Pulse UIS Test
Marek Juraj ; E030 Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Beňo Peter Chvála Aleš ; E030 Košík Tomáš ; E210
ISPS '08 : . s.279-284
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Evaluation of the Ruggedness of Power DMOS Transistor from Electro-Thermal Simulation of UIS Bbehaviour
Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Marek Juraj ; E030 Chvála Aleš ; E030 Beňo Peter
Solid-State Electronics . Vol. 52 (2008), s.892-898
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Temperature Analysis of the Ruggedness of Power MOS Transistor during UIS Test Supported by Modelling and Simulation
Marek Juraj ; E030 Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210
APCOM 2007. Applied Physics of Condensed Matter : . s.CD-Rom
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- The Influence of Fabrication Steps on Selected Properties of Power DMOS Transistor
Ivanova Malinka Donoval Daniel ; E030 Marek Juraj ; E030 Vrbický Andrej ; E210
Electronics ET 2007 : . s.CD-Rom
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Modelovanie, simulácia a charakterizácia vybraných vlastností moderných výkonových štruktúr a prvkov : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
Vrbický Andrej ; E210 Donoval Daniel (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2007 . - 99 s
elektronika DMOS MOSFETS modelovanie a simulácia elektronické prvky energetická odolnosť TCAD UIS
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 
kniha
- Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
Mikulášovič Ján Vrbický Andrej (škol.) ; E210 Donoval Daniel (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2007
FEI ; . - 63 s
elektronika modelovanie a simulácia MOS tranzistory
diplomová prácakniha
- Meranie a vyhodnocovanie vybraných elektrofyzikálných vlastností výkonových trench MOS tranzistorov
Výbošťok Miroslav Donoval Daniel (škol.) ; E030 Vrbický Andrej (škol.) ; E210
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2007
FEI ; . - 67 s
elektronika elektrofyzikálne vlastnosti tranzistory
diplomová prácakniha
- 2/3-D Process and Device Simulation
Donoval Daniel ; E030 Vrbický Andrej ; E210 Chvála Aleš ; E030 Beňo Peter ; E210
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design . , s.1-27
dokument (viac kapitol)
ABC - Kapitoly vo vedeckých monografiách vydané v zahraničných vydavateľstvách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Analysis of Device Geometry on the Ruggedness of Power DMOS Transistor Supported by 3-D Modeling and Simulation
Vrbický Andrej ; E210 Donoval Daniel ; E030 Marek Juraj ; E030 Chvála Aleš ; E030 Beňo Peter
ASDAM 2006. The Sixth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems : . s.259-262
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok