Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 85  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu45748^"
  1. Simulation Analysis of Nanomembrane GaAs HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Chao Yuan, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Yuan Chao Florovič Martin ; 033000
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Milan Ťapajna, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Alica Rosová, Peter Nádaždy, Peter Eliáš, Fridrich Egyenes, Fedor Hrubišák, Hemendra Chouhan, Javad Keshtkar, Xiang Zheng, James W Pomeroy, Martin Kuball, Xinglin Xiao, Yali Mao, Biwei Meng, Guoliang Ma, Chao Yuan
    Gucmann Filip  Ťapajna Milan Hušeková Kristína Dobročka Edmund Rosová Alica Nádaždy Peter Eliáš Peter Egyenes Fridrich Hrubišák Fedor ; 033000 Chouhan Hemendra Keshtkar Javad Zheng Xiang Pomeroy James W. Kuball Martin Xiao Xinglin Mao Yali Meng Biwei Ma Guoliang Yuan Chao
    Oxide-based Materials and Devices 15 : . Art. no 1288705 [12] s.
    silicon carbide Sapphire Field effect transistors Metalorganic chemical vapor deposition Thin film devices electrical conductivity Interfaces semiconductors thin films Gallium oxide
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    MicDAT 2023 : . S. 20-23
    High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD / aut. Edmund Dobročka, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Peter Nádaždy, Fedor Hrubišák, Fridrich Egyenes, Alica Rosová, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Dobročka Edmund  Gucmann Filip Hušeková Kristína Nádaždy Peter Hrubišák Fedor ; 033000 Egyenes Fridrich Rosová Alica Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    Materials . Vol. 16, iss. 1 (2023), Art. no. 20 [14] s.
    Ga2O3 liquid-injection MOCVD thermal stability X-ray diffraction TEM
    https://www.mdpi.com/1996-1944/16/1/20
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Nádaždy Peter Hušeková Kristína Dobročka Edmund Priesol Juraj ; 033000 Egyenes Fridrich Šatka Alexander ; 033000 Rosová Alica Ťapajna Milan
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Ivan Hotový, Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Milan Ťapajna
    Keshtkar Javad  Hotový Ivan ; 033000 Gucmann Filip Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Ťapajna Milan
    ADEPT 2022 : . S. 113-116
    nickel oxide NiO DC Magnetron Sputtering XRD Electrical resistivity
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. NiO thin films for solar-blind photodetectors: Structure and electrical properties / aut. Javad Keshtkar, Filip Gucmann, Edmund Dobročka, Fridrich Egyenes, Milan Ťapajna, Ivan Hotový
    Keshtkar Javad  Gucmann Filip Dobročka Edmund Egyenes Fridrich Ťapajna Milan Hotový Ivan ; 033000
    ELITECH´22 : . [3] s.
    nickel oxide DC Magnetron Sputtering XRD Electrical Property
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna
    Gucmann Filip  Hušeková Kristína Dobročka Edmund Nádaždy Peter Keshtkar Javad Egyenes Fridrich Mikolášek Miroslav ; 033000 Fröhlich Karol Ťapajna Milan
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 7-8
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  10. Nanofriction Properties of Mono- and Double-Layer Ti3C2TX MXenes / aut. Andrii Kozak, Monika Hofbauerová, Yuriy Halahovets, Lenka Pribusová Slušná, Marián Precner, Matej Mičušík, Ľubomír Orovčík, Martin Hulman, Anastasiia Stepura, Mária Omastová, Peter Šiffalovič, Milan Ťapajna
    Kozak Andrii  Hofbauerová Monika Halahovets Yuriy Pribusová Slušná Lenka Precner Marián Mičušík Matej Orovčík Ľubomír Hulman Martin Stepura Anastasiia ; 045210 Omastová Mária Šiffalovič Peter Ťapajna Milan
    ACS Applied Materials & Interfaces . Vol. 14, iss. 32 (2022), s. 36815-36824
    https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c08963
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.