Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 5  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu50030^"

  1. 1.Current Transport and Barrier Height Evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky Diodes

    Current Transport and Barrier Height Evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky Diodes
    Donoval Daniel ; E030  Chvála Aleš ; E030 Šramatý Roman ; E210 Kováč Jaroslav ; E030 Carlin J.F. Grandjean N. Pozzovivo G. Kuzmik J. Pogany A. Strasser G. Kordoš Peter ; E030
    Applied Physics Letters . Vol. 96, Iss. 18 (2010), s.art. no. 223501
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. 2.Low Resistance Ohmic Contacts Annealed at 600 °C on a InAlN/GaN Heterostructure with SiCl4-Reactive Ion Etching Surface Treatment

    Low Resistance Ohmic Contacts Annealed at 600 °C on a InAlN/GaN Heterostructure with SiCl4-Reactive Ion Etching Surface Treatment
    Pozzovivo G.  Kuzmík Ján Giesen C. Heuken M. Liday Jozef ; E030 Strasser G. Pogany A.
    Physica Status Solidi (C) . Vol. 6 (2009), s.S999-S1002
    článok z periodika
    ADE - 12/Vedecké práce v zahraničných nekarentovaných časopisoch ; 13/Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. 3.InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with Al2O3 Insulating Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Ar and NH3 Carrier Gases

    InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with Al2O3 Insulating Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Ar and NH3 Carrier Gases
    Čičo Karol  Kuzmík Ján Liday Jozef ; E030 Hušeková Kristína Pozzovivo G. Carlin J.F. Grandjean N. Pogany A. Vogrinčič Peter ; E030 Fröhlich Karol
    Journal of Vacuum Science and Technology B . Vol. 27 (2009), s.218-222
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  4. 4.Al23 Insulating Films Grown by MOCVD Using Ar or NH3 Carrier Gas on InAlN/GaN Heterostructures

    Al23 Insulating Films Grown by MOCVD Using Ar or NH3 Carrier Gas on InAlN/GaN Heterostructures
    Čičo Karol  Kuzmík Ján Liday Jozef ; E030 Hušeková Kristína Pozzovivo G. Carlin J.F. Grandjean N. Pogany A. Vogrinčič Peter ; E030 Fröhlich Karol
    WODIM 2008 : . s.245-246
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. 5.Low Resistance Ohmic Contacts Annealed at 600 oC on InAlN/GaN heterostructure with SICL4-Reactive Ion Etching Surface Treatment

    Low Resistance Ohmic Contacts Annealed at 600 oC on InAlN/GaN heterostructure with SICL4-Reactive Ion Etching Surface Treatment
    Pozzovivo G.  Kuzmík Ján Liday Jozef ; E030 Giesen C. Heuken M. Strasser G. Pogany A.
    IWN 2008 : . s.572-573
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko