Výsledky vyhľadávania

  1. Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN heterostructure grown on silver substrate / aut. Martin Mikulics, Peter Kordoš, A Fox, Martin Kočan, Hans Lüth, Zdeněk Sofer, Hilde Hardtdegen
    Mikulics Martin  Kordoš Peter ; 033000 Fox A. Kočan Martin Lüth Hans Sofer Zdeněk Hardtdegen Hilde
    Applied Materials Today . Vol. 7, (2017), s. 134-137
    metallic substrate AlGaN/GaN HFET thermal measurement heat dissipation
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S235294071730029X
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  2. Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors / aut. Martin Florovič, Roman Stoklas, Jaroslav jr Kováč, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Stoklas Roman Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 32, No. 2 (2017), Art. no. 025017 [5] s.
    GaN field-effect transistors threshold voltage
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Trapping analysis of AlGaN/GaN Schottky diodes via current transient spectroscopy / aut. Martin Florovič, Jaroslava Škriniarová, Jaroslav Kováč, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Škriniarová Jaroslava ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    Electronics . Vol. 5, Iss. 2 (2016), Art. no. 20 [7] s.
    AlGaN/GaN Schottky diode exponential function (de)trapping activation energy
    http://www.mdpi.com/2079-9292/5/2/20
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    článok

    článok

  4. Analysis of the current transients by monitoring lateral current evolution in AlGaN/GaN structure / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav Kováč, Jaroslava Škriniarová, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    ADEPT 2016 : . S. 253-256
    GaN AlGaN ohmic contacts current transients trapping/detrapping
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Direct electro-optical pumping for hybrid CdSe nanocrystal/III-nitride based nano-light-emitting diodes / aut. Martin Mikulics, Y. C Arango, A Winder, Roman Adam, A Hardtdegen, D Grützmacher, E. F Plinski, Dagmar Gregušová, J Novák, Peter Kordoš, A Moonshiram, Michel Marso, Zdeněk Sofer, Hans Lüth, Hilde Hardtdegen
    Mikulics Martin  Arango Y. C. Winder A. Adam Roman Hardtdegen A. Grützmacher D. Plinski E. F. Gregušová Dagmar Novák J. Kordoš Peter ; 033000 Moonshiram A. Marso Michel Sofer Zdeněk Lüth Hans Hardtdegen Hilde
    Applied Physics Letters . Vol. 108, Iss. 6 (2016), Art.no. 061107 [5] s.
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/108/6/10.1063/1.4941923
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  6. Trap analysis of GaN-based heterostructures using current transients measurements / aut. Martin Florovič, Jaroslava Škriniarová, Dagmar Gregušová, Jaroslav Kováč, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Škriniarová Jaroslava ; 033000 Gregušová Dagmar Kováč Jaroslav ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    ASDAM 2016 : . S. 185-188
    http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=7805926
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Temperature dependence of the threshold voltage in GaN-based HFETs and MOSHFETs / aut. Martin Florovič, Roman Stoklas, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Stoklas Roman Kordoš Peter ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2016 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  8. Trap analysis of AlGaN/GaN HEMTs by current transient measurements / aut. Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Jaroslava Škriniarová, Peter Kordoš
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
    ADEPT 2015 : . S. 49-52
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Reverse current transient measurements of AlGaN/GaN Schottky diodes / aut. Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Peter Kordoš, Jaroslava Škriniarová
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav ; 033000 Kordoš Peter ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000
    WOCSDICE 2015 : . S. 91-92
    článok zo zborníka
    BEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  10. III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap / aut. Filip Gucmann, R Kúdela, Peter Kordoš, Edmund Dobročka, Štefan Gaži, Ján Dérer, Jozef Liday, Peter Vogrinčič, Dagmar Gregušová
    Gucmann Filip ; E  Kúdela R. Kordoš Peter ; E030 Dobročka Edmund Gaži Štefan Dérer Ján Liday Jozef ; E030 Vogrinčič Peter ; R2640 Gregušová Dagmar
    Journal of Vacuum Science and Technology B : . Vol. 33, No. 1 (2015), Art. no. 01A111 [5] s.
    http://scitation.aip.org/docserver/fulltext/avs/journal/jvstb/33/1/1.4905938.pdf?expires=1456138624&id=id&accname=2106317&checksum=EB1C095E3BF32E44049E0A3611AC4CDC
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok