Výsledky vyhľadávania

  1. EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Characterization and evaluation of current transport properties of power SiC Schottky diode / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    11th Solid State Surfaces and Interfaces conference : . S. 285-288
    Power SiC Schottky diode Schottky barrier height Tunneling current FEM simulation
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2214785321045168
    článok zo zborníka
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. CAE elektronických prvkov : 2/3-D numerické simulácie - Návody na cvičenia / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval; rec. Milan Ťapajna, Martin Weis elektronický zdroj
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Ťapajna Milan (rec.) Weis Martin ; 033000 (rec.)
    1. vyd.
    Bratislava : Spektrum STU, 2022 . - CD-ROM, 68 s.
    ISBN 978-80-227-5183-4
    elektronický textový údaj
    BCI - Skriptá a učebné texty
    P1 - Pedagogický výstup publikačnej činnosti ako celok
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1100
    kniha

    kniha

  4. Electrical performance degradation of power p-GaN HEMTs exposed to repetitive short circuit conditions / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Aleš Chvála, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP106-OP107
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Electro-thermal simulation analysis and optimization of SiC Power MOSFET under UIS test condition / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Angelo Alberto Messina, Vincenzo Vinciguerra, Daniel Donoval
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Messina Angelo Alberto Vinciguerra Vincenzo Donoval Daniel ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP102-OP103
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2021 : . S. 75-78
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Analysis and optimization of power module supported by new TCAD simulation methodology for 3-D electro-physical and advanced thermal analysis / aut. Patrik Príbytný, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval
    Príbytný Patrik ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 235-238
    diode 3-D numerical modeling and simulation thermal management power and heat dissipation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  8. Degradation of 600V GaN HEMT with p-GaN gate under repetitive short circuit stress / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Krisztián Gašparek, Miroslav Jagelka, Martin Donoval
    Kozárik Jozef ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Gašparek Krisztián ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Donoval Martin ; 030690
    ADEPT 2021 : . S. 219-222
    GaN HEMT repetitive short circuit DLTS degradation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s.
    Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Stoffels Steve De Jaeger Brice Decoutere Stefaan
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok