Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 274  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu57774^"
  1. Neural Network for Calibration of Electrical Models of Semiconductor Devices
    W. Amira Mohammed A. ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    2024
    FEI ; 04.06.2024 ; elektrotechnika ; I-ENxA

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=177719
    diplomová práca
    kniha

    kniha

  2. Simulation Analysis of Nanomembrane GaAs HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Chao Yuan, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Yuan Chao Florovič Martin ; 033000
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  3. The impact of electric stress on charge trap states in SiC-based TrenchMOS / aut. Juraj Marek, Matej Matuš, Viktor Málik, Aleš Chvála, Martin Weis, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Matuš Matej ; 033000 Málik Viktor ; 030000 Chvála Aleš ; 033000 Weis Martin ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    MicDAT 2023 : . S. 20-23
    High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Simulácia a modelovanie vlastností výkonového MOS tranzistora pomocou rýchlej 3D elektrotepelnej simulácie
    Bošković Lazar ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    2023
    FEI ; 26.09.2023 ; elektrotechnika ; I-EN

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=171194
    diplomová práca
    kniha

    kniha

  6. Design of Power Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Simulations / aut. Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Jue Chen
    Chvála Aleš ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Chen Jue
    InterPACK 2023 : . Art. no. V001T07A002 [6] s.
    electro-thermo-mechanical simulation embedded power transistor printed circuit board
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. Average Temperature Determination of AlGaN/GaN HEMT Utilizing Pinch-Off Voltage Biasing / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 70, No. 11 (2023), s. 5803-5806
    AlGaN average temperature field effect transistor (FET) gallium nitride (GaN) HEMT power dissipation thermal model
    https://ieeexplore.ieee.org/document/10268943
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. Simulácie elektrických, tepelných a magnetických vlastností výkonového MOS tranzistora v technológiách povrchovej montáže na DPS a zabudovania do DPS / aut. Patrik Suhaj, Aleš Chvála
    Suhaj Patrik  Chvála Aleš ; 033000
    ŠVOČ 2023 : . S. 135-140
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Simulácia a modelovanie elektrických vlastností a spoľahlivosti výkonových IGBT prvkov a modulov
    Kovaľ František ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 (škol.)
    2023
    FEI ; 06.06.2023 ; elektrotechnika ; I-EN

    http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=170680
    diplomová práca
    kniha

    kniha


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.