Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 89  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu58418^"
  1. Insight into the Quantum Well Investigation by Transient Spectroscopy Technique / aut. Ľubica Stuchlíková, Beata Ściana, Arpád Kósa, Matej Matuš, Peter Benko, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Martin Weis
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Ściana Beata Kósa Arpád Matuš Matej ; 033000 Benko Peter ; 033000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Weis Martin ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 55-58
    transient spectroscopy InGaAsN/GaAs heterostructures QW defects
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Polarization and depth dependent Raman spectroscopy investigation of dilute nitride InGaAsN epilayers / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Jaroslav jr Kováč
    Dawidowski Wojciech  Ściana Beata Radziewicz Damian Kováč Jaroslav jr. ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 16-19
    Dilute nitrides InGaAsN Raman spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Analysis of emission and capture processes in GaAsN p-i-n solar cell / aut. Arpád Kósa, Wojciech Dawidowski, Jakub Drobný, Matej Matuš, Peter Benko, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Dawidowski Wojciech Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Benko Peter ; 033000 Radziewicz Damian Ściana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 254-257
    GaAsN DLTFS emission and capture processes
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Influence of annealing temperature on emission and capture processes in GaAsN/GaAs heterostructures / aut. Peter Benko, Arpád Kósa, Matej Matuš, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Benko Peter ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ASDAM 2022 : . S. 17-20
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9966749
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. Influence of reactor cooling atmosphere on structural and optical properties of dilute nitrides grown by AP-MOVPE / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Damian Radziewicz, M. C López-Escalante, M Gabás, J Kopaczek, Andrej Vincze, Jaroslav jr Kováč
    Dawidowski Wojciech  Ściana Beata Radziewicz Damian López-Escalante M. C. Gabás M. Kopaczek J. Vincze Andrej Kováč Jaroslav jr. ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 31-34
    Dilute nitrides HRXRD Raman spectra XPS SIMS CER PL
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Annealing impact on the defect distribution in GaAsN/GaAs heterostructures / aut. Ľubica Stuchlíková, Arpád Kósa, Peter Benko, Matej Matuš, Darko Činčurak, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Ściana
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Matuš Matej ; 030000 Činčurak Darko ; 030000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Ściana Beata
    ADEPT 2022 : . S. 250-253
    Deep Level Transient Fourier Spectroscopy GaAsN annealing
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. Evaluation of effective mass in InGaAsN/GaAs quantum wells using transient spectroscopy / aut. Ľubica Stuchlíková, Beata Sciana, Arpád Kósa, Matej Matúš, Peter Benko, Juraj Marek, Martin Donoval, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Martin Weis
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Sciana Beata Kósa Arpád ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Benko Peter ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Weis Martin ; 033000
    Materials . Vol. 15, iss. 21 (2022), Art. no. 7621 [7] s.
    quantum well electron effective mass transient spectroscopy
    https://www.mdpi.com/1996-1944/15/21/7621
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers? / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, J Jadczak, A Łozińska, V Manuel, M. C López-Escalante, M Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz
    Dawidowski Wojciech  Ściana Beata Jadczak J. Łozińska A. Manuel V. López-Escalante M. C. Gabás M. Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Radziewicz Damian
    ADEPT 2021 : . S. 59-62
    Dilute nitrides GaAsN nitrogen interstitial defects HRXRD XPS DLTFS Raman spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
    Dawidowski Wojciech  Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
    Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
    solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
    https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Electrical characterization of InGaAsN/GaAs heterostructures / aut. Peter Benko, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Beata Ściana, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Marek Tlaczala, Jaroslav Kováč, Ľubica Stuchlíková
    Benko Peter ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Ściana Beata Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Tlaczala Marek Kováč Jaroslav ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ASDAM 2018 : . S. 113-116
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8544644
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.