Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 75  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu58958^"
  1. Study of InGaN/GaN Quantum Well structure using transient spectroscopy / aut. Matej Matuš, Ľubica Stuchlíková, Dagmar Gregušová, Magali Morales, Martin Weis, Juraj Marek, Pierre Ruterana
    Matuš Matej ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Gregušová Dagmar Morales Magali Weis Martin ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Ruterana Pierre
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Simulation Analysis of Nanomembrane GaAs HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Chao Yuan, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Yuan Chao Florovič Martin ; 033000
    WOCSDICE-EXMATEC 2024 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Influence of base material thickness on spectrometry of semiconductor detectors based on semi-insulating GaAs / aut. Andrea Šagátová, Nikola Kurucová, Soňa Kotorová, Andrej Novák, Eva Kováčová, Dagmar Gregušová, Bohumír Zaťko
    Šagátová Andrea ; 036000  Kurucová Nikola ; 036000 Kotorová Soňa ; 036000 Novák Andrej ; 036000 Kováčová Eva Gregušová Dagmar Zaťko Bohumír
    ANIMMA 2023 : . S. 253
    článok zo zborníka
    BFA - Abstrakty odborných prác zo zahraničných podujatí (konferencie...)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Effects of sulfurization temperature and substrate type on the optical properties of WS2 thin film / aut. Mohammad Sharif Shazileh, Vlastimil Řeháček, Peter Ondrejka, Miroslav Mikolášek, Ivan Kostič, Dagmar Gregušová, Michaela Sojková, Ivan Hotový
    Shazileh Mohammad Sharif ; 033000  Řeháček Vlastimil ; 033000 Ondrejka Peter ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Kostič Ivan Gregušová Dagmar Sojková Michaela Hotový Ivan ; 033000
    SURFINT - SREN VIII : . S. 32-33
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  5. 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
    Chvála Aleš ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
    MicDAT 2023 : . S. 20-23
    High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. Mg doping of InAlN layers / aut. Ondrej Pohorelec, Dagmar Gregušová, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Ľubomír Vančo, M Gregor, Ján Kuzmík
    Pohorelec Ondrej  Gregušová Dagmar Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 060700 Gregor M. Kuzmík Ján
    ADEPT 2021 : . S. 147-150
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic gates supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
    WOCSDICE 2019 : . [2] s.
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
    Chvála Aleš ; 033000  Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    Journal of Circuits Systems and Computers . Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
    monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers / aut. Milan Ťapajna, Andrej Vincze, Pavol Noga, Jozef Dobrovodský, Andrea Šagátová, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová
    Ťapajna Milan  Vincze Andrej Noga Pavol ; 067000 Dobrovodský Jozef ; 067000 Šagátová Andrea ; 036000 Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
    ASDAM 2018 : . S. 141-144
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8544657
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.