Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 18  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu62008^"

  1. 1.Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN heterostructure grown on silver substrate

    Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN heterostructure grown on silver substrate / aut. Martin Mikulics, Peter Kordoš, A Fox, Martin Kočan, Hans Lüth, Zdeněk Sofer, Hilde Hardtdegen
    Mikulics Martin  Kordoš Peter ; 033000 Fox A. Kočan Martin Lüth Hans Sofer Zdeněk Hardtdegen Hilde
    Applied Materials Today . Vol. 7, (2017), s. 134-137
    metallic substrate AlGaN/GaN HFET thermal measurement heat dissipation
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S235294071730029X
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. 2.Electrical and Structural Characterization of AlGaN/GaN Field-Effect Transistors with Recessed Gate

    Electrical and Structural Characterization of AlGaN/GaN Field-Effect Transistors with Recessed Gate
    Mikulics Martin  Fox A. Marso Michel Donoval Daniel ; E030 Kordoš Peter ; E030
    Vacuum . Vol. 86 (2012), s.754-756
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. 3.Residual Strain in Recessed AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Evaluated by Micro Photoluminescence Measurements

    Residual Strain in Recessed AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Evaluated by Micro Photoluminescence Measurements
    Mikulics Martin  Hardtdegen Hilde Winden A. Fox A. Marso Michel Sofer Zdeněk Lüth Hans Grützmacher D. Kordoš Peter ; E030
    Physica Status Solidi (C) : . Vol. 9, Iss. 3-4 (2012), s.411-427
    článok z periodika
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  4. 4.RF Performance of InAlN/GaN HFETs and MOSHFETs With f(T) X L-G up to 21 GHz . mu m

    RF Performance of InAlN/GaN HFETs and MOSHFETs With f(T) X L-G up to 21 GHz . mu m
    Kordoš Peter ; E030  Mikulics Martin Fox A. et al.
    IEEE Electron Device Letters . Vol. 31 (2010), s.180-182
    článok z periodika
    článok

    článok

  5. 5.Characterization of AlGaN/GaN MISHFETs on a Si Substrate by Static and High-Frequency Measurements

    Characterization of AlGaN/GaN MISHFETs on a Si Substrate by Static and High-Frequency Measurements
    Gregušová Dagmar  Stoklas Roman Eickelkamp M. Fox A. Novák J. Vescan A. Grützmacher Bernd Kordoš Peter ; E030
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 24 (2009), s.art. no. 075014
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. 6.Improved High-Frequency Performance of Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs Compared to AlGaN/GaN HFETs

    Improved High-Frequency Performance of Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs Compared to AlGaN/GaN HFETs
    Kordoš Peter ; E030  Fox A. Stoklas Roman Eickelkamp M. Gregušová Dagmar Grützmacher D. Vescan A.
    APCOM 2009. Applied Physics of Condensed Matter : . s.25-28
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. 7.Sensitivity Enhancement of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors on Low-Temperature-Grown GaAs Using Alloyed Contacts

    Sensitivity Enhancement of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors on Low-Temperature-Grown GaAs Using Alloyed Contacts
    Mikulics Martin  Marso Michel Wu S. Fox A. Lepsa M. Grützmacher Bernd Sobolewski R. Kordoš Peter ; E030
    IEEE Photonics Technology Letters . Vol. 20, No. 12 (2008), s.1054-1056
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  8. 8.AlGaN/GaN-Based SiO2-MOSHFET versus SiO2-Passivated and Conventional HFETs

    AlGaN/GaN-Based SiO2-MOSHFET versus SiO2-Passivated and Conventional HFETs
    Heidelberger G.  Marso Michel Bernát J. Fox A. Kordoš Peter ; E030
    IEEE EDS Workshop on Advanced Electron Devices : . s.CD-Rom
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. 9.Technology Related Issues Regrading Fabrication of AlGaN/GaN-Based MOSHFETs with GdScO3 as Dielectric

    Technology Related Issues Regrading Fabrication of AlGaN/GaN-Based MOSHFETs with GdScO3 as Dielectric
    Heidelberger G.  Roeckerath M. Steins R. Stefaniak M. Fox A. Schubert J. Kaluza N. Marso Michel Lüth Hans Kordoš Peter ; E030
    ASDAM 2006. The Sixth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems : . s.241-244
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  10. 10.Comparative Study on Unpassivated and Passivated AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs

    Comparative Study on Unpassivated and Passivated AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs
    Heidelberger G.  Bernát J. Fox A. Marso Michel Lüth Hans Gregušová Dagmar Kordoš Peter ; E030
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 203 (2006), s.1876-1881
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko