Výsledky vyhľadávania
- Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
článok
- Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Stoklas Roman Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Mg doping of InAlN layers / aut. Ondrej Pohorelec, Dagmar Gregušová, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Ľubomír Vančo, M Gregor, Ján Kuzmík
Pohorelec Ondrej Gregušová Dagmar Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 060700 Gregor M. Kuzmík Ján
ADEPT 2021 : . S. 147-150
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures / aut. Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Marián Veselý, Farah Bouazzaoui, Marie-Pierre Chauvat, Pierre Ruterana, Ján Kuzmík
Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 902640 Veselý Marián ; 902640 Bouazzaoui Farah Chauvat Marie-Pierre Ruterana Pierre Kuzmík Ján
Applied Physics Express . Vol. 12, iss. 1 (2019), s. 14001-14001
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Ľubomír Vančo, Roman Stoklas, Jaroslav jr Kováč, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmil
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Vančo Ľubomír ; 902640 Stoklas Roman Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Šiffalovič Peter Kuzmil Ján
Applied Surface Science . Vol.470, (2019), s. 1-7
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433218330137
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Growth of InAlN by MOCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Jaroslav Kováč, Daniel Machajdík, Alexander P Kobzev, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
Chauhan Prerna Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav ; 033000 Machajdík Daniel Kobzev Alexander P. Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
International workshop on devices and applications project : . S. 4-5
InAlN buffer MOCVD growth AES RBS PL and absorption spectra
článok zo zborníka
BEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors / aut. Martin Florovič, Roman Stoklas, Jaroslav jr Kováč, Peter Kordoš
Florovič Martin ; 033000 Stoklas Roman Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
Semiconductor Science and Technology . Vol. 32, No. 2 (2017), Art. no. 025017 [5] s.
GaN field-effect transistors threshold voltage
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Temperature dependence of the threshold voltage in GaN-based HFETs and MOSHFETs / aut. Martin Florovič, Roman Stoklas, Peter Kordoš
Florovič Martin ; 033000 Stoklas Roman Kordoš Peter ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2016 : . [2] s.
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Trapped charge effects in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with Al2O3 and ZrO2 gate insulator
Stoklas Roman Gregušová Dagmar Hušeková Kristína Marek Juraj ; E030 Kordoš Peter ; E030
Semiconductor Science and Technology . Vol. 29, Iss. 4 (2014), Art. No. 045003
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok