Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 51  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stu70421^"

  1. 1.Vertical GaN transistor with semi-insulating channel

    Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2. 2.EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors

    EBIC analysis of semi-insulating GaN/Si-doped GaN-on-GaN test structures for vertical GaN transistors / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík, František Uherek
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján Uherek František ; 033000
    WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 94-95
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.Mg doping of InAlN layers

    Mg doping of InAlN layers / aut. Ondrej Pohorelec, Dagmar Gregušová, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Ľubomír Vančo, M Gregor, Ján Kuzmík
    Pohorelec Ondrej  Gregušová Dagmar Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 060700 Gregor M. Kuzmík Ján
    ADEPT 2021 : . S. 147-150
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 4.Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels

    Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Stoklas Roman  Chvála Aleš ; 033000 Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Haščík Štefan Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371
    Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. 5.A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation

    A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: a complete depth-resolved investigation / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Ľubomír Vančo, Peter Šiffalovič, Edmund Dobročka, Daniel Machajdík, Alica Rosová, Filip Gucmann, Jaroslav jr Kováč, Igor Matko, Martin Kuball, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Vančo Ľubomír ; 902640 Šiffalovič Peter Dobročka Edmund Machajdík Daniel Rosová Alica Gucmann Filip Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Matko Igor Kuball Martin Kuzmík Ján
    CrystEngComm . Vol. 22, iss. 1 (2020), s. 130-141
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  6. 6.Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence

    Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík, Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, František Uherek, Daniel Haško
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján Hasenöhrl Stanislav Chauhan Prerna Uherek František ; 033000 Haško Daniel
    Solid State Surfaces and Interfaces : . S. 76-77
    článok zo zborníka
    AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. 7.Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM

    Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
    Priesol Juraj ; 033000  Šatka Alexander ; 033000 Uherek František ; 033000 Haško Daniel Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Kuzmík Ján
    Fotonika 2020 : . S. 11-14
    vertikálny GaN tranzistor rastrovacia elektrónová mikroskopia katódoluminiscencia
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. 8.Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure

    Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. 9.Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD

    Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík
    Chauhan Prerna  Hasenöhrl Stanislav Dobročka Edmund Chauvat Marie-Pierre Minj A. Gucmann Filip Vančo Ľubomír ; 902640 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kret S. Ruterana Pierre Kuball Martin Šiffalovič Peter Kuzmík Ján
    Journal of Applied Physics . 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. 10.Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures

    Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures / aut. Stanislav Hasenöhrl, Prerna Chauhan, Edmund Dobročka, Roman Stoklas, Ľubomír Vančo, Marián Veselý, Farah Bouazzaoui, Marie-Pierre Chauvat, Pierre Ruterana, Ján Kuzmík
    Hasenöhrl Stanislav  Chauhan Prerna Dobročka Edmund Stoklas Roman Vančo Ľubomír ; 902640 Veselý Marián ; 902640 Bouazzaoui Farah Chauvat Marie-Pierre Ruterana Pierre Kuzmík Ján
    Applied Physics Express . Vol. 12, iss. 1 (2019), s. 14001-14001
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko