Výsledky vyhľadávania
- Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics / aut. Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Štefan Haščík, A Seifertová, Milan Ťapajna, J Šoltýs, Alexander Šatka, Lukáš Nagy, Aleš Chvála, Juraj Marek, J.F Carlin, N Grandjean, G Konstantinidis, Ján Kuzmík
Blaho Michal ; 033000 Gregušová Dagmar Haščík Štefan Seifertová A. Ťapajna Milan Šoltýs J. Šatka Alexander ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Carlin J.F. Grandjean N. Konstantinidis G. Kuzmík Ján
Semiconductor Science and Technology . Vol. 31, (2016), Art. no. 065011 [4] s.
InAlN/GaN HEMT self-aligned contacts mixed-signal electronics enancement-mode HEMT
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/6/065011/pdf
článok zo zborníka
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
článok
- Trap States in InAlN-Based Structures with High-k Gate Insulator
Kordoš Peter ; E030 Stoklas Roman Hušeková Kristína Carlin J.F. Gregušová Dagmar Kováč Jaroslav ; E030 Grandjean N.
WOCSDICE 2013 : . s.163-164
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Defect States Characterization of Non-Annealed and Annealed ZrO2/InAlN/GaN Structures by Capacitance Measurements
Kordoš Peter ; E030 Stoklas Roman Gregušová Dagmar Hušeková Kristína Carlin J.F. Grandjean N.
Applied Physics Letters . Vol. 102, Iss. 6 (2013), s.Art. No. 063502
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- GaN/InAlN/AlN/GaN Normally-Off HEMT with Etched Acces Region
Jurkovič M. Gregušová Dagmar Haščík Štefan Blaho Matej Molnár Marián ; E030 Palankovski Vassil Donoval Daniel ; E030 Carlin J.F. Grandjean N. Kuzmik J.
WOCSDICE-EXMATEC 2012 [elektronický zdroj] : . s.CD-ROM, [2] s.
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Current Transport in Ni/InAlN/GaN Schottky Diodes
Donoval Daniel ; E030 Chvála Aleš ; E030 Pozzovivo G. Šramatý Roman ; E210 Carlin J.F. Kováč Jaroslav ; E030 Kuzmík Ján Strasser G. Grandjean N. Kordoš Peter ; E030
WOCSDICE 2010 : . s.45-46
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Current Transport and Barrier Height Evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky Diodes
Donoval Daniel ; E030 Chvála Aleš ; E030 Šramatý Roman ; E210 Kováč Jaroslav ; E030 Carlin J.F. Grandjean N. Pozzovivo G. Kuzmik J. Pogany A. Strasser G. Kordoš Peter ; E030
Applied Physics Letters . Vol. 96, Iss. 18 (2010), s.art. no. 223501
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with Al2O3 Insulating Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Ar and NH3 Carrier Gases
Čičo Karol Kuzmík Ján Liday Jozef ; E030 Hušeková Kristína Pozzovivo G. Carlin J.F. Grandjean N. Pogany A. Vogrinčič Peter ; E030 Fröhlich Karol
Journal of Vacuum Science and Technology B . Vol. 27 (2009), s.218-222
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Al23 Insulating Films Grown by MOCVD Using Ar or NH3 Carrier Gas on InAlN/GaN Heterostructures
Čičo Karol Kuzmík Ján Liday Jozef ; E030 Hušeková Kristína Pozzovivo G. Carlin J.F. Grandjean N. Pogany A. Vogrinčič Peter ; E030 Fröhlich Karol
WODIM 2008 : . s.245-246
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok