Výsledky vyhľadávania
- Towards strain gauges based on a self-assembled nanoparticle monolayer - SAXS study
Siffalovič Peter Chitu L. Vegso Karol Majková Eva Jergel Matej Weis Martin ; E030 Luby Štefan Capek Ignác Kečkéš Jozef Maier Guenther A. Šatka Alexander ; E030 Perlich J. Roth Stephan V.
Nanotechnology . Vol. 21 (2010), s.Art. No. 385702
článok z periodika
ADF - 12/Vedecké práce v domácich nekarentovaných časopisoch ; 13/Vedecké práce v ostatných domácich časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Výtěžnostní normy pro jatky a bourárny
Tábor : OSSIS, 2001 . - 100 s
normyFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FCHPT 0 1 0 0 - Structural analysis of annealed Al/n-InP(100) interfaces: Different types of indium heteroepitaxial growth on InP(111)A and InP(111)B planes
Kečkéš Jozef Ortner B. Jakabovič Ján ; E030 Kováč Jaroslav ; E030
Journal of Applied Physics . Vol. 84 (1998), s.751-755
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Spotřební normy pro masné výrobky
Šedivý Václav (zost.)
3.,upravené vyd.
Tábor : OSSIS, 1998 . - 319 s
ISBN 80-902391-0-2
normatívnotechnický predpisFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FCHPT 0 0 0 1 - Orientation relationship between indium films and GaSb(1 1 1)B: Annealing-induced transformation of fibre texture into heteroepitaxy
Kečkéš Jozef Ortner B. Jakabovič Ján ; E030 Kováč Jaroslav ; E030
Journal of Crystal Growth . Vol. 192 (1998), s.84-88
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Thermal Degradation of ZnO/InP Interfaces: Heteroepitaxial Growth of Precipitated Indium in InP(111) Planes
Kečkéš Jozef Ortner B. Červeň Ivan ; E150 Jakabovič Ján ; E030 Kováč Jaroslav ; E030
Journal of Applied Physics . Vol. 80 (1996), s.Iss.11, p.6204-6210
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 / [aut.] Kečkéš,Jozef, Ing.; Škol. Červeň,Ivan
Kečkéš Jozef Červeň Ivan (škol.) ; E150
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1996
FEI ; . - 81 s Autoref.1996, 23 s
tepelná degradácia fyzika tuhých látok fyzika polovodičov polovodičové štruktúry epitaxiálny rast tenké vrstvy fyzika rozhraní
dizertačná prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0