Výsledky vyhľadávania
- Bipolar heterojunction phototransistor based on thin PtSe2 layer / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Agáta Laurenčíková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2023 : . S. 59-60
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
článok
- Influence of thin Ga2Se3 interlayer on the properties of GaP/PtSe2 heterojunction / aut. Jozef Novák, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková
Novák Jozef ; 030690 Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Laurenčíková Agáta Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 24-27
heterojunction phototransistor interlayer
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Properties of mechanochemically synthesized famatinite Cu3SbS4 nanocrystals / aut. Erika Dutková, Jaroslav Kováč, Jaroslav jr Kováč, Jiří Hejtmánek, Petr Levinský, Adelia Kashimbetova, María Jesús Sayagués, Martin Fabián, Zdenka Lukáčová Bujňáková, Matej Baláž, Katarína Gáborová, Viktor Puchý, Ladislav Čelko
Dutková Erika Kováč Jaroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Hejtmánek Jiří Levinský Petr Kashimbetova Adelia Sayagués María Jesús Fabián Martin Lukáčová Bujňáková Zdenka Baláž Matej Gáborová Katarína Puchý Viktor Čelko Ladislav
Micro . Vol. 3, no. 2 (2023), s. 458-470
mechanochemistry famatinite Cu3SbS4 nanocrystals optoelectrical properties thermoelectric properties
https://www.mdpi.com/2673-8023/3/2/30
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- The HEMT average temperature determination utilizing transfer characteristics / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2023 : . S. 63-66
HEMT AlGaN/GaN transfer characteristics self-heating average temperature charge trapping
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Mechanochemically synthesized chalcogenide Cu3BiS3 nanocrystals in an environmentally friendly manner for solar cell applications / aut. Erika Dutková, Matej Baláž, María Jesús Sayagués, Jaroslav Kováč, Jaroslav jr Kováč
Dutková Erika Baláž Matej Sayagués María Jesús Kováč Jaroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000
Crystals . Vol. 13, iss. 3 (2023), Art. no. 487 [13] s.
wittichenite Cu3BiS3 mechanochemistry nanocrystals optical properties optoelectrical properties
https://www.mdpi.com/2073-4352/13/3/487
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Nanocrystalline skinnerite (Cu3SbS3) prepared by high-energy milling in a laboratory and an industrial mill and its optical and optoelectrical properties / aut. Erika Dutková, María Jesús Sayagués, Martin Fabián, Matej Baláž, Jaroslav Kováč, Jaroslav jr Kováč, Martin Stahorský, Marcela Achimovičová, Zdenka Lukáčová Bujňáková
Dutková Erika Sayagués María Jesús Fabián Martin Baláž Matej Kováč Jaroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Stahorský Martin Achimovičová Marcela Lukáčová Bujňáková Zdenka
Molecules : . Vol. 28, iss. 1 (2023), Art. no. 326 [14] s.
mechanochemistry milling ternary chalcogenide Cu3SbS3 nanocrystals optical properties optoelectrical properties
https://www.mdpi.com/1420-3049/28/1/326
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Thermal resistance utilization as a key parameter for HEMT average temperature determination / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2022 : . S. 246-249
HEMT AlGaN/GaN I-V characteristics thermal resistance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- MOVPE growth of edge rich GaP surfaces for preparation of molybdenum disulphide / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 21-24
MOVPE growth nanocone heterojunction
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Characterization of MoS2/GaP heterojunction properties / aut. Jozef Novák, Agáta Laurenčíková, Peter Eliáš, Stanislav Hasenöhrl, Michaela Sojková, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč
Novák Jozef Laurenčíková Agáta Eliáš Peter Hasenöhrl Stanislav Sojková Michaela Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
WOCSDICE‐EXMATEC 2022 : . S. OP 72-73
článok zo zborníka
BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok