Výsledky vyhľadávania
- 3D Thermal Simulation of GaAs-Based HEMT on Foreign Substrates / aut. Aleš Chvála, Jaroslav jr Kováč, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Filip Gucmann, Juraj Marek, Martin Florovič
Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Gucmann Filip Marek Juraj ; 033000 Florovič Martin ; 033000
MicDAT 2023 : . S. 20-23
High electron mobility transistor GaAs nanomembranes Epitaxial lift-off technique 3D thermal simulation GaAs Al2O3 Si SiC diamond substrates
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko
Izsák Tibor Kováčová Eva Vanko Gabriel Haščík Štefan Zehetner Johann Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír
ADEPT 2022 : . S. 169-172
ICP GaAs SiO2 deep reactive ion etching
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Semi-insulating GaAs detectors with HDPE layer for detection of fast neutrons from D-T nuclear reaction / aut. Andrea Šagátová, Bohumír Zaťko, Katarína Sedlačková, Márius Pavlovič, Vladimír Nečas, Marek Fülöp, Michael Solar, Carlos Granja
Šagátová Andrea ; 036000 Zaťko Bohumír Sedlačková Katarína ; 036000 Pavlovič Márius ; 036000 Nečas Vladimír ; 036000 Fülöp Marko Solar Michael Granja Carlos
International Journal of Modern Physics: Conference Series . Vol. 44 : International conference on applications of nuclear techniques (Crete15), (2016), Art. no. 1660233 [9] s.
solid-state detectors GaAs HDPE detection efficiency fast neutrons
http://www.worldscientific.com/doi/pdfplus/10.1142/S2010194516602337?src=recsys
článok z periodika
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Štúdium vlastností semiizolačného GaAs detektora rtg. žiarenia pre digitálnu rádiografiu
Makovník Matej ; E Dubecký František (škol.) Nečas Vladimír (škol.) ; E060
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2008 . - 42 s
GaAs röntgenové žiarenie digitálna rádiografia
diplomová práca
kniha
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
Trokšiar Tomáš ; E Šagátová Andrea (škol.) ; E060 Farkas Gabriel (škol.) ; E060
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2008
Fyzikálne inžinierstvo GaAs detektory častíc
diplomová prácakniha
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
Vincze Andrej ; E030 Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006 . - 148 s
elektronika polovodičové štruktúry heteroštruktúry fyzika polovodičov epitaxia kvantové drôty príprava tenkých vrstiev GaAs
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha
- Detektory tepelných neutrónov na báze semiizolačného GaAs
Žaťko Miroslav ; E Šagátová Andrea (škol.) ; E060
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006 . - 46 s
Fyzikálne inžinierstvo GaAs rekurentná neurónová sieť
diplomová prácakniha
- Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
Florovič Martin ; E030 Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006 . - 103 s
elektronika Mikroelektronika GaAs kvantové jamy
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
Štrichovanec Pavel Novák Jozef (škol.)
Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2006 . - 105 s
GaAs heteroštruktúry
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005
Šagátová-Perďochová Andrea ; E160 Nečas Vladimír (škol.) ; E060
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2005 . - 141 s príl.
elektrotechnológia a materiály detektory GaAs
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práceFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha