Výsledky vyhľadávania

  1. Investigation of emission and capture processes in Si IGBT / aut. Jakub Drobný, Matej Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Jozef Kozárik, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Matúš Matej Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 87-90
    IGBT emission and capture processes Deep energy levels DLTS
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  2. Degradation of 600V GaN HEMT with p-GaN gate under repetitive short circuit stress / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Krisztián Gašparek, Miroslav Jagelka, Martin Donoval
    Kozárik Jozef ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Gašparek Krisztián ; 033000 Jagelka Miroslav Donoval Martin ; 030690
    ADEPT 2021 : . S. 219-222
    GaN HEMT repetitive short circuit DLTS degradation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  3. Study of emission and capture processes in AlGaN/GaN HEMTs for 5G / aut. Ľubica Stuchlíková, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Peter Benko, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Jaroslav Kováč, Jaroslav jr Kováč
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Kováč Jaroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 37-40
    DLTS AlGaN/GaN HEMT defects
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  4. Degradation of p-GaN HEMTs exposed to clamped inductive switching / aut. Juraj Marek, Martin Jagelka, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Patrik Príbytný, Alexander Šatka, Martin Donoval, Daniel Donoval, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Jagelka Martin ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Donoval Martin ; 039140 Donoval Daniel ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    GaN Marathon 2.0 : . S. 73-74
    DLTS HEMT p-GaN reliability
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. DLTS study of defects in SiC based devices / aut. Ľubica Stuchlíková, Ondrej Pohorelec, Richard Ravasz, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav Kováč, Sylvain Laurent Delage
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Pohorelec Ondrej ; 030000 Ravasz Richard Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Delage Sylvain Laurent
    International workshop on devices and applications project : . S. 38-40
    DLTS deep energy level defect state
    článok zo zborníka
    BEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    článok

    článok

  6. Deep level transient fourier spectroscopy with optical excitation - powerful tool for defect characterization in wide bandgap semiconductors / aut. Miroslav Petrus, Robert Szobolovszký, Arpád Kósa
    Petrus Miroslav ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kósa Arpád ; 033000
    ELITECH´16 : . CD-ROM, [5] s.
    DLTS MCTFS DLTFS DLTFS-O AlGaN/GaN HEMT structure
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Correlation between electrical parameters and defect states of polythiophene:fullerene based solar cell / aut. Michal Kaiser, Vojtech Nádaždy, Peter Šiffalovič, Ján Ivančo, Eva Majková
    Kaiser Michal ; 036000  Nádaždy Vojtech Šiffalovič Peter Ivančo Ján Majková Eva
    Thin Solid Films : . Vol. 614, Part A, (2016), s. 16-24
    organic solar cells P3HT PCBM degradation photo-oxidation defect states DLTS
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609016000821
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  8. Impact of repetitive UIS on modern GaN power devices / aut. Juraj Marek, Ľubica Stuchlíková, Martin Jagelka, Aleš Chvála, Patrik Príbytný, Martin Donoval, Daniel Donoval
    Marek Juraj ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Donoval Martin ; 039140 Donoval Daniel ; 033000
    ASDAM 2016 : . S. 173-176
    high-electron mobility transistor HEMT UIS inductive switching DLTS
    http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=7805923
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
    Vallo Martin ; E  Stuchlíková Ľubica (škol.) ; E030
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2009 . - 60 s
    elektronika Mikroelektronika polovodičové štruktúry DLTS
    diplomová práca
    kniha

    kniha

  10. Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 / [aut.] Harmatha,Ladislav, Ing.,CSc
    Harmatha Ladislav ; E030 
    Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1996 . - 143 s : príl
    polovodičové štruktúry fyzika polovodičov MIS štruktúry MOS štruktúry kapacitné meracie metódy DLTS
    habilitačná práca
    Fakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné
    FEI1000
    kniha

    kniha