Výsledky vyhľadávania
- AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
(1) - článok
článok
- Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
Racko Juraj Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Challenges of DLTFS evaluation and experiment: HEMT structures based on GaN / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´20 : . [8] s.
DLTFS deep levels evaluation GaN HEMT
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 34, No. 6 (2019), Art. no. 065021 [7] s.
InAlN GaN FET HEMT temperature profile dissipated power
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1737
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisochčlánok
- Electrical and capacitance characterization techniques for power and optoelectronic devices / aut. Miroslav Mikolášek, Filip Chymo, Ladislav Harmatha, Peter Ondrejka, Juraj Marek
Mikolášek Miroslav ; 033000 Chymo Filip ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Ondrejka Peter ; 030000 Marek Juraj ; 033000
ADEPT 2019 : . S. 11-14
MIS GaN AlN RuO2 power electronics optoelectronic application
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2019 : . S. 55-58
GaN HEMT quasi-static I-V characteristics channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Determination of on chip temperature distribution of devices under operation by using Raman microscopy / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Tomáš Vincze
Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Vincze Tomáš ; 030000
ADEPT 2019 : . S. 289-292
GaN HEMT SiC temperature Raman microscopy
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Determination of on chip temperature distribution of devices for power and microwave applications under operation / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála
Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
OK 18 : . [4] s.
GaN HEMT SiC temperature
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciáchčlánok
- Temperature dependent current transport in very thin MOS heterostructure / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Alena Grmanová, Magdaléna Kadlečíková, Peter Benko, Ladislav Harmatha, Juraj Breza
Racko Juraj ; 033000 Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Grmanová Alena ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Breza Juraj ; 033000
IMAPS flash conference 2017 [elektronický zdroj] : . USB, [4] s.
trap-assisted tunnelling GaN AlGaN
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciáchčlánok