Výsledky vyhľadávania

  1. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2021 : . S. 75-78
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  2. Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
    Izsák Tibor  Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
    Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
    polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  3. Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
    AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
    https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  4. Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Matuš Matej Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 183-186
    Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  5. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2020 : . S. 41-44
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  6. Modeling of HEMT device using neural network / aut. Ľuboš Černaj, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval, Jozef Kozárik, Tomáš Závodník
    Černaj Ľuboš ; 033000  Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Závodník Tomáš ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 163-166
    GaN HEMT neural network
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Direct deposition of CVD diamond layers on top of GaN membranes / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Milan Držík, Stephan Kasemann, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Štěpán Potocký, Alexander Kromka
    Izsák Tibor  Vanko Gabriel Držík Milan Kasemann Stephan Zehetner Johann Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Potocký Štěpán Kromka Alexander
    4th International Conference nanoFIS 2020 - Functional Integrated nanoSystems : . Art. no. 35 [3] s.
    GaN MEMS CVD diamond intrinsic stress
    https://www.mdpi.com/2504-3900/56/1/35
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  8. Challenges of DLTFS evaluation and experiment: HEMT structures based on GaN / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ELITECH´20 : . [8] s.
    DLTFS deep levels evaluation GaN HEMT
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
    Racko Juraj  Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
    Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
    GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok