Výsledky vyhľadávania

  1. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
    dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    (1) - článok
    článok

    článok

  2. Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
    Racko Juraj  Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
    Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
    GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  3. Challenges of DLTFS evaluation and experiment: HEMT structures based on GaN / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ELITECH´20 : . [8] s.
    DLTFS deep levels evaluation GaN HEMT
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  4. Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
    GaN Vertical transistor Semi-insulating
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  5. Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 34, No. 6 (2019), Art. no. 065021 [7] s.
    InAlN GaN FET HEMT temperature profile dissipated power
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1737
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    článok

    článok

  6. Electrical and capacitance characterization techniques for power and optoelectronic devices / aut. Miroslav Mikolášek, Filip Chymo, Ladislav Harmatha, Peter Ondrejka, Juraj Marek
    Mikolášek Miroslav ; 033000  Chymo Filip ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Ondrejka Peter ; 030000 Marek Juraj ; 033000
    ADEPT 2019 : . S. 11-14
    MIS GaN AlN RuO2 power electronics optoelectronic application
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  7. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2019 : . S. 55-58
    GaN HEMT quasi-static I-V characteristics channel temperature
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  8. Determination of on chip temperature distribution of devices under operation by using Raman microscopy / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Tomáš Vincze
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Vincze Tomáš ; 030000
    ADEPT 2019 : . S. 289-292
    GaN HEMT SiC temperature Raman microscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  9. Determination of on chip temperature distribution of devices for power and microwave applications under operation / aut. Jaroslav jr Kováč, Robert Szobolovszký, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála
    Kováč Jaroslav jr. ; 033000  Szobolovszký Robert ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000
    OK 18 : . [4] s.
    GaN HEMT SiC temperature
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok

  10. Temperature dependent current transport in very thin MOS heterostructure / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Alena Grmanová, Magdaléna Kadlečíková, Peter Benko, Ladislav Harmatha, Juraj Breza
    Racko Juraj ; 033000  Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Grmanová Alena ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Breza Juraj ; 033000
    IMAPS flash conference 2017 [elektronický zdroj] : . USB, [4] s.
    trap-assisted tunnelling GaN AlGaN
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    článok

    článok