Výsledky vyhľadávania
- Small-signal model of GaN-based RF on-chip calibration structures / aut. Martin Florovič, Michal Dzuriš, Jakub Krchnák, Jaroslav jr Kováč, René Harťanský, Aleš Chvála, Soňa Kováčová, Jaroslav Kováč
Florovič Martin ; 033000 Dzuriš Michal ; 034000 Krchnák Jakub ; 034000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Harťanský René ; 034000 Chvála Aleš ; 033000 Kováčová Soňa ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2025 : . S. 63-66
GaN InAlGaN HEMT RF measurements calibration structures
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Augmentation of Handwritten Slovak Diacritical Letters Using GAN networks / aut. Oto Haffner, Dmytro Potapov, Erik Kučera, Lukáš Beňo, Martin Pajpach, Dominik Janecký
Haffner Oto ; 030400 Potapov Dmytro ; 030000 Kučera Erik ; 030400 Beňo Lukáš ; 030400 Pajpach Martin ; 030400 Janecký Dominik ; 030400
CINS 2024 : . S. 16-16
GaN DCGAN cDCGAN AC-DCGAN handwritten augmentation dataset letters CNN Slovak diacritics
článok zo zborníka
BFA - Abstrakty odborných prác zo zahraničných podujatí (konferencie...)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Augmentation of Handwritten Slovak Diacritical Letters Using GAN networks / aut. Oto Haffner, Dmytro Potapov, Erik Kučera, Lukáš Beňo, Martin Pajpach, Dominik Janecký
Haffner Oto ; 030400 Potapov Dmytro ; 030000 Kučera Erik ; 030400 Beňo Lukáš ; 030400 Pajpach Martin ; 030400 Janecký Dominik ; 030400
CINS 2024 : . [8] s.
GAN DCGAN cDCGAN AC-DCGAN handwritten augmentation dataset letters CNN Slovak diacritics
https://ieeexplore.ieee.org/document/10864462
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
(1) - článokčlánok
- The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements / aut. Martin Florovič, Michal Dzuriš, Jaroslav jr Kováč, René Harťanský, Aleš Chvála, Soňa Kováčová, Jaroslav Kováč
Florovič Martin ; 033000 Dzuriš Michal ; 034000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Harťanský René ; 034000 Chvála Aleš ; 033000 Kováčová Soňa ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000
ADEPT 2024 : . S. 49-52
HEMT GaN DC and RF measurements S-parameters
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2023 : . S. 103-106
GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
článok zo zborníka
AFD - Reports at home scientific conferences
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Automatic detection and counting of defects from cathodoluminescence maps of GaN layers / aut. Juraj Priesol, David Gellen, Alexander Šatka
Priesol Juraj ; 033000 Gellen David ; 030000 Šatka Alexander ; 033000
MECO 2023 : . [4] s.
object detection object counting 2D FFT segmentation CLAHE watershed Cathodoluminescence GaN quality assessment reliability
https://ieeexplore.ieee.org/document/10155031
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Electrical characterisation of progressive structures based on GaN / aut. Matej Matuš, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´23 : . [8] s.
GaN I-V C-V DLTFS DLTFS-O
článok zo zborníka
BEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníkačlánok
- Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 63-66
quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok