Výsledky vyhľadávania

Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
Matuš Matej ; 030000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2022 : . S. 63-66
quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
Izsák Tibor  Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu

Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000  Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 183-186
Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka

Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter  Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu

Direct deposition of CVD diamond layers on top of GaN membranes / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Milan Držík, Stephan Kasemann, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Štěpán Potocký, Alexander Kromka
Izsák Tibor  Vanko Gabriel Držík Milan Kasemann Stephan Zehetner Johann Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Potocký Štěpán Kromka Alexander
4th International Conference nanoFIS 2020 - Functional Integrated nanoSystems : . Art. no. 35 [3] s.
GaN MEMS CVD diamond intrinsic stress
https://www.mdpi.com/2504-3900/56/1/35
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka