Výsledky vyhľadávania
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2021 : . S. 75-78
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok z periodika
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
článok
- Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
Izsák Tibor Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Matuš Matej Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2021 : . S. 183-186
Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2020 : . S. 41-44
HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Modeling of HEMT device using neural network / aut. Ľuboš Černaj, Aleš Chvála, Juraj Marek, Daniel Donoval, Jozef Kozárik, Tomáš Závodník
Černaj Ľuboš ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Závodník Tomáš ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 163-166
GaN HEMT neural network
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Direct deposition of CVD diamond layers on top of GaN membranes / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Milan Držík, Stephan Kasemann, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Štěpán Potocký, Alexander Kromka
Izsák Tibor Vanko Gabriel Držík Milan Kasemann Stephan Zehetner Johann Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Potocký Štěpán Kromka Alexander
4th International Conference nanoFIS 2020 - Functional Integrated nanoSystems : . Art. no. 35 [3] s.
GaN MEMS CVD diamond intrinsic stress
https://www.mdpi.com/2504-3900/56/1/35
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciáchčlánok
- Challenges of DLTFS evaluation and experiment: HEMT structures based on GaN / aut. Jakub Drobný, Arpád Kósa, Ľubica Stuchlíková
Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
ELITECH´20 : . [8] s.
DLTFS deep levels evaluation GaN HEMT
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciáchčlánok
- Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure / aut. Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Roman Stoklas, Juraj Priesol, Edmund Dobročka, Štefan Haščík, Filip Gucmann, Andrej Vincze, Aleš Chvála, Juraj Marek, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Šichman Peter Hasenöhrl Stanislav Stoklas Roman Priesol Juraj ; 033000 Dobročka Edmund Haščík Štefan Gucmann Filip Vincze Andrej Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
Materials Science in Semiconductor Processing . Vol. 118, (2020), Art. no. 105203 [5] s.
GaN Vertical transistor Semi-insulating
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800120307344
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
Racko Juraj Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok