Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 38  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stus18930^"
  1. Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 033000  Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 103-106
    GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Electrical characterisation of progressive structures based on GaN / aut. Matej Matuš, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ELITECH´23 : . [8] s.
    GaN I-V C-V DLTFS DLTFS-O
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Automatic detection and counting of defects from cathodoluminescence maps of GaN layers / aut. Juraj Priesol, David Gellen, Alexander Šatka
    Priesol Juraj ; 033000  Gellen David ; 030000 Šatka Alexander ; 033000
    MECO 2023 : . [4] s.
    object detection object counting 2D FFT segmentation CLAHE watershed Cathodoluminescence GaN quality assessment reliability
    https://ieeexplore.ieee.org/document/10155031
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Vertical GaN transistor with semi-insulating channel / aut. Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
    Šichman Peter  Stoklas Roman Hasenöhrl Stanislav Gregušová Dagmar Ťapajna Milan Hudec Boris Haščík Štefan Hashizume Tamotsu Chvála Aleš ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Kuzmík Ján
    Physica Status Solidi (A)-Applications and Materials Science . Vol. 220, Iss. 16 (2023), Art. no. 2200776 [6] s.
    C doping GaN Semi-insulating vertical transistors
    https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssa.202200776
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 030000  Marek Juraj ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu Decoutere Stefaan Hahn Herwig Heuken M. Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 63-66
    quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
    AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  7. Study of semi-vertical GaN-on-Si FETs by DLTFS with optical excitation / aut. Jakub Drobný, Miloš Matúš, Juraj Marek, Aleš Chvála, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
    Drobný Jakub ; 033000  Matuš Matej ; 030000 Marek Juraj ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Geens Karen Borga Matteo Liang Hu You Shuzhen Decoutere Stefaan Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2021 : . S. 183-186
    Trench MOSFET GaN DLTFS emission and capture processes
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
    AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
    https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  9. Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    ADEPT 2021 : . S. 75-78
    HEMT GaN I-V characteristics conductance channel temperature
    článok z periodika
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  10. Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
    Izsák Tibor  Vanko Gabriel Babčenko Oleg Vincze Andrej Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír Kromka Alexander
    Materials Science and Engineering B : . Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
    polycrystalline diamond GaN Raman spectroscopy stress SIMS
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.