Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 137  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stus21707^"
  1. Simulation and modeling of thermo-mechanical properties and reliability of power IGBT devices and modules / aut. František Kovaľ, Aleš Chvála
    Kovaľ František ; 030000  Chvála Aleš ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 95-98
    IGBT module reliability simulation fatigue module
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. Automatic detection and counting of defects from cathodoluminescence maps of GaN layers / aut. Juraj Priesol, David Gellen, Alexander Šatka
    Priesol Juraj ; 033000  Gellen David ; 030000 Šatka Alexander ; 033000
    MECO 2023 : . [4] s.
    object detection object counting 2D FFT segmentation CLAHE watershed Cathodoluminescence GaN quality assessment reliability
    https://ieeexplore.ieee.org/document/10155031
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. Nelineárna analýza
    Benko Vladimír ; 010110  Fillo Ľudovít
    Navrhování betonových konstrukcí podle nové generace Eurokódů . S. 223-237
    vlastnosti materiálov interakčný diagram spoľahlivosť characteristic of materials interaction diagram reliability
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  4. Presentation of the FEM analysis methodology using MathCAD software
    Králik Juraj  Bočkaj Jozef ; 010320 Králik Juraj ml. ; 054140
    International Journal of Education and Information Technologies . No. 17 (2023), online, s. 100-112
    FEM MathCAD statics truss structures frames reliability safety control
    https://npublications.com/journals/articles.php?id=566
    článok z periodika
    ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. SiC Power TrenchMOS Transistor under harsh repetitive switching conditions / aut. Juraj Marek, Michal Minárik, Matej Matuš, Jozef Kozárik, Ľubica Stuchlíková
    Marek Juraj ; 033000  Minárik Michal ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Stuchlíková Ľubica ; 033000
    EPE´23 ECCE Europe : . [8] s.
    charge trap states reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive UIS repetitive short circuit
    https://ieeexplore.ieee.org/document/10264402
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. Druhá generácia Eurokódu 2 - pretlačenie lokálne podopretých dosiek
    Halvoník Jaroslav ; 010110  Majtánová Lucia ; 010110
    28. Betonářské dny 2022 : . USB kľúč, s. 201-207
    pretlačenie lokálne podopretá doska odolnosť spoľahlivosť punching flat slab resistance reliability
    článok zo zborníka
    BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    článok

    článok

  7. Analysis of 15 A–1200 V class IGBTs under repeitive SC conditions / aut. Juraj Marek, Michal Minárik, Jozef Kozárik, Martin Jagelka
    Marek Juraj ; 033000  Minárik Michal ; 033000 Kozárik Jozef ; 033000 Jagelka Martin ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 205-208
    reliability degradation IGBT repetitive short circuit
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. Simulation of electrical properties and reliability of power IGBT module / aut. František Kovaľ, Aleš Chvála
    Kovaľ František ; 030000  Chvála Aleš ; 033000
    ADEPT 2022 : . S. 73-76
    IGBT module reliability simulation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. Charge trap states of sic power trenchmos transistor under repetitive unclamped inductive switching stress / aut. Juraj Marek, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Aleš Chvála, Matej Matuš, Martin Donoval, Ľubica Stuchlíková, Martin Weis
    Marek Juraj ; 033000  Kozárik Jozef ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Matuš Matej ; 033000 Donoval Martin ; 030690 Stuchlíková Ľubica ; 033000 Weis Martin ; 033000
    Materials . Vol. 15, iss. 22 (2022), Art. no. 8230 [11] s.
    charge trap states reliability degradation SiC MOSFET TrenchMOSFET repetitive UIS
    https://www.mdpi.com/1996-1944/15/22/8230
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. Investigation of the effect of different shading scale on the operating of photovoltaic modules using numerical simulations / aut. Milan Perný, Vladimír Šály, Juraj Packa, František Janíček, János Kurcz, Lukáš Valášek
    Perný Milan ; 032000  Šály Vladimír ; 032000 Packa Juraj ; 032000 Janíček František ; 032000 Kurcz János ; 032000 Valášek Lukáš
    EPE 2022 : . S. 205-210
    bypass diode hotspot diagnostics reliability Photovoltaics renewable energy sources simulations MATLAB
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9814102
    článok zo zborníka
    AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.