Výsledky vyhľadávania
- Properties of Group-IV, III-V and II - VI semiconductors
Adachi Sadao
Chichester : John Wiley & Sons, 2005 . - 387 s
ISBN 978-0-470-09032-9
fyzika polovodičov fyzika tuhých látok polovodičové materiály polovodičové štruktúry epitaxiálny rast lasery LED slnečné články svetelné diódy
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 
kniha
- Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
Novotný Jan
Praha : Academia, 2003 . - 234 s
ISBN 80-200-1030-0
monokryštály epitaxiálny rast fyzika polovodičov
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 1 kniha
- Thin film nucleation, growtn and analysis: Proceeding : Bratislava, Slovac Republic.20.- 24. March 1998
Lukáč Peter (zost.) Dubravcová Viera (zost.) ; E210
Bratislava : STU v Bratislave, 1998 . - 94 s
ISBN 80-227-1063-6
polovodičové štruktúry heteroštruktúry tenké vrstvy epitaxiálny rast nukleácia
zborníkkniha
- Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 / Edit. Redhammer,Robert a i
Redhammer Robert (zost.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave, 1996 . - 101 s
MBE molekulárna zväzková epitaxia polovodičové štruktúry heteroštruktúry fyzika polovodičov epitaxiálny rast
zborníkFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 / [aut.] Papajová,Dana, Ing.; Škol. Veselý,Marian
Papajová Dana Ing Veselý Marián (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1996
FEI ; . - 90 s Autoref.1996, 26 s
MBE polovodičové štruktúry fyzika polovodičov tenké vrstvy epitaxiálny rast simulácia
dizertačná prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha
- Properties of III - V quantum wells and superlattices
Bhattacharya Pallab (zost.)
London : Institution of Electrical Engineers, 1996 . - 400 s
ISBN 0-85296-881-7
fyzika polovodičov fyzika tuhých látok polovodičové materiály polovodičové štruktúry epitaxiálny rast
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Propertiers of wide bandgap II - VI semiconductors
Bhargava Rameshwar (zost.)
London : Institution of Electrical Engineers, 1996 . - 297 s
ISBN 0-85296-882-5
fyzika polovodičov fyzika tuhých látok polovodičové materiály polovodičové štruktúry epitaxiálny rast lasery LED slnečné články svetelné diódy
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Properties of gallium arsenide
Brozel M.R. (zost.) Stillman G.E.
3.ed.
London : Institution of Electrical Engineers, 1996 . - 981 s
ISBN 0-85296-885-X
fyzika polovodičov fyzika tuhých látok polovodičové materiály polovodičové štruktúry epitaxiálny rast arzenidy GaAs
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 / [aut.] Kečkéš,Jozef, Ing.; Škol. Červeň,Ivan
Kečkéš Jozef Červeň Ivan (škol.) ; E150
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1996
FEI ; . - 81 s Autoref.1996, 23 s
tepelná degradácia fyzika tuhých látok fyzika polovodičov polovodičové štruktúry epitaxiálny rast tenké vrstvy fyzika rozhraní
dizertačná prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha
- Vybrané problémy rozhraní a heteroštruktúr v mikro- a nanoelektronike : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 / [aut.] Redhammer,Robert, Ing.CSc
Redhammer Robert ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1995 . - 131 s
polovodičové štruktúry heteroštruktúry molekulárna zväzková epitaxia MBE epitaxiálny rast elektronové vlnovody nábojové zádrže fyzika rozhraní
habilitačná prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 1 0 0 0 kniha