Výsledky vyhľadávania
- Thermal properties of Ga2O3 thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Milan Ťapajna, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Alica Rosová, Peter Nádaždy, Peter Eliáš, Fridrich Egyenes, Fedor Hrubišák, Hemendra Chouhan, Javad Keshtkar, Xiang Zheng, James W Pomeroy, Martin Kuball, Xinglin Xiao, Yali Mao, Biwei Meng, Guoliang Ma, Chao Yuan
Gucmann Filip Ťapajna Milan Hušeková Kristína Dobročka Edmund Rosová Alica Nádaždy Peter Eliáš Peter Egyenes Fridrich Hrubišák Fedor ; 033000 Chouhan Hemendra Keshtkar Javad Zheng Xiang Pomeroy James W. Kuball Martin Xiao Xinglin Mao Yali Meng Biwei Ma Guoliang Yuan Chao
Oxide-based Materials and Devices 15 : . Art. no 1288705 [12] s.
silicon carbide Sapphire Field effect transistors Metalorganic chemical vapor deposition Thin film devices electrical conductivity Interfaces semiconductors thin films Gallium oxide
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
článok
- Comparative study of the MeV ion channeling implantation induced damage in 6H-SiC by the iterative procedure and phenomenological CSIM computer code / aut. Marko P Gloginjić, Marko V Erich, Željko V Mravik, Branislav Vrban, Štefan Čerba, Jakub Lüley, Vendula Filová, Karel Katovský, Ondřej Štastný, Jiří Burian, Srdjan M Petrović
Gloginjić Marko P. Erich Marko V. Mravik Željko V. Vrban Branislav ; 036000 Čerba Štefan ; 036000 Lüley Jakub ; 036000 Filová Vendula ; 036000 Katovský Karel Štastný Ondřej Burian Jiří Petrović Srdjan M.
Nuclear Technology and Radiation Protection . Vol. 37, Iss. 2 (2022), s. 128-137
silicon carbide computer simulation iterative procedure RBS/C and EBS/C spectrometry
http://www.doiserbia.nb.rs/Article.aspx?id=1451-39942202128G#.Y3dbPOSZOUk
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Microstructure and selected properties of Si3N4 + SiC composite / aut. Zuzana Gábrišová, Pavol Švec, Alena Brusilová
Gábrišová Zuzana ; 020050 Švec Pavol ; 020050 Brusilová Alena ; 020050
Manufacturing technology : . Vol. 20, iss. 3 (2020), s. 293-299
silicon carbide
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- E-learning course as the first step to a mysterious world of science and technology / aut. Ľubica Stuchlíková, Robert Szobolovszký, Peter Benko, Jaroslav jr Kováč, Jiří Hrbáček
Stuchlíková Ľubica ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Hrbáček Jiří
Distance learning, simulation and communication 2017 : . CD-ROM, S. 325-330
e-learning course Wide band-gap semiconductors silicon silicon carbide Gallium Nitride popularization of science and technology Electronics
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- The influence of neutrons and Xe-ions flux on c-Si - a-SiC photovoltaic device / aut. Milan Perný, Michal Váry, Vladimír Šály, Miroslav Mikolášek, Jozef Huran
Perný Milan ; 032000 Váry Michal ; 032000 Šály Vladimír ; 032000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Huran Jozef
32nd European photovoltaic solar energy conference and exhibition : . S. 260-262
silicon carbide PECVD impedance heterojunction
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
Knap Marek ; J Gábrišová Zuzana (škol.) ; J280
Bratislava : STU v Bratislave SjF, 2013
Production Processes and Materials silicon carbide silicon nitride karbid kremíka nitrid kremíka Si3N4 strojárske technológie a materiály
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94935
diplomová prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné SJF 1 0 0 0 
kniha
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC
Miča Peter ; J Gábrišová Zuzana (škol.) ; J280
Bratislava : STU v Bratislave SjF, 2013
Production Processes and Materials silicon carbide silicon nitride nitrid kremíka žiarové lisovanie karbid kremíka strojárske technológie a materiály
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94930
diplomová prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné SJF 1 0 0 0 kniha
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
Brejčák Ľuboš ; E Šagátová Andrea (škol.) ; E060
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013 . - 29 s
Electrical Engineering silicon carbide karbid kremíka
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=78112
bakalárska prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
Kósa Arpád ; E030 Stuchlíková Ľubica (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013 . - 62 s CD-ROOM
Mikroelektronika Microelectronics silicon carbide karbid kremíka
http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=92429
diplomová prácaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 kniha
- C-SiC Composite materials prepared by reaction infiltration
Švec Pavol ; J280
PRO-TECH-MA 2010 : . s.120-125
infiltration parameters silicon carbide
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok