Výsledky vyhľadávania
- AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
(1) - článok - Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 34, No. 6 (2019), Art. no. 065021 [7] s.
InAlN GaN FET HEMT temperature profile dissipated power
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1737
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch - Introduction to semiconductor materials and devices / [aut.] Tyagi,M.S
Tyagi M.S
New York : John Wiley & Sons, 1991 . - 669 s
ISBN 0-471-51772-0
polovodičové súčiastky polovodičové zariadenia fyzika polovodičov p-n prechody optoelektronické súčiastky bipolárne tranzistory MOS tranzistory IC FET
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 - Introduction to semiconductor materials and devices / [aut.] Tyagi,M.S
Tyagi M.S
1.vyd.
New York : John Wiley & Sons, 1991 . - 669 s
ISBN 0-471-60560-3
polovodičové súčiastky polovodičové zariadenia fyzika polovodičov p-n prechody optoelektronické súčiastky bipolárne tranzistory MOS tranzistory IC FET
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 1 0 0 - Gallium arsenide digital integrated circuit design / [aut.] Long,Stephen I.; Butner,Steven E
Long Stephen I Butner Steven E
1.vyd.
New York : McGraw-Hill, 1990 . - 486 s
ISBN 0-07-038687-0
číslicové integrované obvody MESFET HFET FET GaAs
monografiaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1 - Feldeffekttransistoren : Physikalishe Grundlagen und Eigenschften
Paul Reinhold
Berlin : Verlag Technik, 1972 . - 584 s
FET
učebnicaFakulta Voľné Prezenčne Vypožičané Nedostupné FEI 0 0 0 1