Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 19  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^stu_us_auth stus52937^"

  1. 1.Insight into the Quantum Well Investigation by Transient Spectroscopy Technique

    Insight into the Quantum Well Investigation by Transient Spectroscopy Technique / aut. Ľubica Stuchlíková, Beata Ściana, Arpád Kósa, Matej Matuš, Peter Benko, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Martin Weis
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Ściana Beata Kósa Arpád Matuš Matej ; 033000 Benko Peter ; 033000 Dawidowski Wojciech Radziewicz Damian Weis Martin ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 55-58
    transient spectroscopy InGaAsN/GaAs heterostructures QW defects
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2. 2.Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures

    Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 033000  Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 103-106
    GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  3. 3.Electrically Active Defects in Power SiC-MOSFET Before and After Applied Electrical Stress

    Electrically Active Defects in Power SiC-MOSFET Before and After Applied Electrical Stress / aut. Viktor Malík, Matej Matuš, Aleš Chvála, Juraj Marek, Vincenzo Vinciguerra, Angelo Alberto Messina ; zost. Ľubica Stuchlíková
    Málik Viktor ; 030000  Matuš Matej ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Vinciguerra Vincenzo Messina Angelo Alberto Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 169-172
    defects SiC MOSFET Deep-Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  4. 4.Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell

    Analysis of current transport mechanism in AP-MOVPE grown GaAsN p-i-n solar cell / aut. Wojciech Dawidowski, Beata Sciana, Katarzyna Bielak, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jarosław Serafińczuk, Iván Lombardero, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Arpád Kósa, Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Carlos Algora, Ľubica Stuchlíková
    Dawidowski Wojciech  Sciana Beata Bielak Katarzyna Mikolášek Miroslav ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Serafińczuk Jarosław Lombardero Iván Radziewicz Damian Kijaszek Wojciech Kósa Arpád ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Algora Carlos Stuchlíková Ľubica ; 033000
    Energies . Vol. 14, Iss. 15 (2021), Art. no. 4651 [18] s.
    solar cell Dilute nitrides GaAsN reciprocal lattice maps J-V-T measurements carrier transport mechanism recombination thermionic field emission DLTS spectroscopy defects nitrogen interstitial
    https://www.mdpi.com/1996-1073/14/15/4651
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  5. 5.Study of emission and capture processes in AlGaN/GaN HEMTs for 5G

    Study of emission and capture processes in AlGaN/GaN HEMTs for 5G / aut. Ľubica Stuchlíková, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Peter Benko, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Jaroslav Kováč, Jaroslav jr Kováč
    Stuchlíková Ľubica ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Kováč Jaroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 37-40
    DLTS AlGaN/GaN HEMT defects
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  6. 6.DLTS study of defect distribution in GaAsN p-i-n structures for solar cells

    DLTS study of defect distribution in GaAsN p-i-n structures for solar cells / aut. Arpád Kósa, Jakub Drobný, Wojciech Dawidowski, Miroslav Mikolášek, Jaroslav jr Kováč, Beata Sciana, Ľubica Stuchlíková
    Kósa Arpád ; 033000  Drobný Jakub ; 033000 Dawidowski Wojciech Mikolášek Miroslav ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Sciana Beata Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2020 : . S. 183-186
    GaAsN defects DLTS study
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  7. 7.Posudzovanie existujúcich nosných konštrukcií stavieb

    Posudzovanie existujúcich nosných konštrukcií stavieb
    Gramblička Štefan  Borzovič Viktor ; 010110
    Statika stavieb 2020 : . s. 237-244
    posudzovanie nosných konštrukcií stavby poruchy zosilnenie assessment of load-bearing structures existing structures defects strengthening
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  8. 8.Defect distribution in metal-porous siliconsilicon structures

    Defect distribution in metal-porous siliconsilicon structures / aut. Peter Benko, Ľubica Stuchlíková, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ladislav Harmatha, Miroslav Mikolášek, Martin Kopáni, Kentaro Imamura, Hikaru Kobayashi, Emil Pinčík
    Benko Peter ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Drobný Jakub ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Kopáni Martin Imamura Kentaro Kobayashi Hikaru Pinčík Emil
    ADEPT 2019 : . S. 135-138
    porous silicon black silicon defects DLTFS
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  9. 9.Design and fabrication of enhanced lateral growth for dislocation reduction in GaN using nanodashes

    Design and fabrication of enhanced lateral growth for dislocation reduction in GaN using nanodashes / aut. Emmanuel D Le Boulbar, Juraj Priesol, Alexander Šatka, M Nouf-Allehiani, G Naresh-Kumar, S Fox, C Trager-Cowan, Duncan W. E Allsopp, Philip A Shields
    Le Boulbar Emmanuel D.  Priesol Juraj ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Nouf-Allehiani M. Naresh-Kumar G. Fox S. Trager-Cowan C. Allsopp Duncan W. E. Shields Philip A.
    Journal of Crystal Growth . Vol. 466, (2017), s. 30-38
    defects metalorganic chemical vapour epitaxy pendeoepitaxy selective epitaxy nitrides semiconducting III-V materials
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024817301276
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  10. 10.Masonry Building - Influence of Change of Load on Its Defects

    Masonry Building - Influence of Change of Load on Its Defects
    Ivánková Oľga ; 010250  Bujdáková Konečná Lenka ; 010250
    Procedia Engineering : . Vol. 190, (2017), online, s. 199-206
    masonry building defects design partition wall assessment of the structure RC plate settlement of structure
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1877705817324670
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko