Výsledky vyhľadávania
- Average Temperature Determination of AlGaN/GaN HEMT Utilizing Pinch-Off Voltage Biasing / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 70, No. 11 (2023), s. 5803-5806
AlGaN average temperature field effect transistor (FET) gallium nitride (GaN) HEMT power dissipation thermal model
https://ieeexplore.ieee.org/document/10268943
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
článok
- HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Electronics . Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
(1) - článokčlánok
- Vertical current transport processes in MOS-HEMT heterostructures / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Peter Benko, Sebastian Thiele, Frank Schwierz, Juraj Breza
Racko Juraj Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Benko Peter ; 033000 Thiele Sebastian Schwierz Frank Breza Juraj ; 033000
Applied Surface Science . Vol. 527, (2020), Art. no. 146605 [8] s.
GaN AlGaN Heterostructures Vertical current
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433220313623
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisučlánok
- Temperature dependent current transport in very thin MOS heterostructure / aut. Juraj Racko, Tibor Lalinský, Miroslav Mikolášek, Alena Grmanová, Magdaléna Kadlečíková, Peter Benko, Ladislav Harmatha, Juraj Breza
Racko Juraj ; 033000 Lalinský Tibor Mikolášek Miroslav ; 033000 Grmanová Alena ; 033000 Kadlečíková Magdaléna ; 033000 Benko Peter ; 033000 Harmatha Ladislav ; 033000 Breza Juraj ; 033000
IMAPS flash conference 2017 [elektronický zdroj] : . USB, [4] s.
trap-assisted tunnelling GaN AlGaN
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Channel temperature analysis of power AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, J.-C Jacquet, S. L Delage
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
ADEPT 2017 : . S. 36-39
AlGaN GaN HEMT temperature DC characterization dissipated power
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok
- Analysis of the current transients by monitoring lateral current evolution in AlGaN/GaN structure / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav Kováč, Jaroslava Škriniarová, Peter Kordoš
Florovič Martin ; 033000 Szobolovszký Robert ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Škriniarová Jaroslava ; 033000 Kordoš Peter ; 033000
ADEPT 2016 : . S. 253-256
GaN AlGaN ohmic contacts current transients trapping/detrapping
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníkačlánok