Výsledky vyhľadávania
- Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
Chvála Aleš ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
Journal of Circuits Systems and Computers . Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Device and circuit models of InAlN/GaN D- and Dual-Gate E-Mode HEMTs for design and characterisation of monolithic NAND logic cell / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
Chvála Aleš ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján
DTIS 2018 : . USB, [6] s.
monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model
článok zo zborníka
AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka - Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Michal Blaho, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík, Alexander Šatka
Chvála Aleš ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Blaho Michal Gregušová Dagmar Kuzmík Ján Šatka Alexander ; 033000
IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 65, No. 6 (2018), s. 2666-2669
Circuit and device simulations InAlN/GaN HEMT monolithic integration NAND logic cell
https://ieeexplore.ieee.org/document/8352764/
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu - Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by device simulation / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Matej Blaho, Ján Kuzmík, Dagmar Gregušová, Patrik Príbytný, Marián Bernát, Daniel Donoval, Alexander Šatka
Chvála Aleš ; 033000 Nagy Lukáš ; 033000 Marek Juraj ; 033000 Priesol Juraj ; 033000 Blaho Michal Kuzmík Ján Gregušová Dagmar Príbytný Patrik ; 033000 Bernát Marián ; 033000 Donoval Daniel ; 033000 Šatka Alexander ; 033000
ADEPT 2017 : . S. 40-43
monolithic integration NAND logic cell InAlN/GaN HEMT device simulations
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka